《安费诺NovaSensor压力传感器芯片P111》
2026-08-07 11:24:02   来源：麦姆斯咨询   评论：0   点击：

Product Analysis of Amphenol NovaSensor’s Pressure Sensor Die P111

NovaSensor位于美国加州硅谷的中心地带，从事MEMS压力传感器芯片的研发和生产，产品广泛应用于医疗、汽车、工业及消费电子等领域。从1985年成立至今，NovaSensor在硅微机械加工技术方面始终保持世界领先的地位。NovaSensor成立于1985年，最初名为Lucas NovaSensor，由MEMS大神Kurt E. Petersen联合创立。1999年，天合汽车（TRW Automotive）收购NovaSensor；2002年，通用电气（GE）从TRW手中收购NovaSensor；2013年，安费诺（Amphenol）收购GE的先进传感器业务部门（包括NovaSensor）。

NovaSensor拥有最先进的设计工具和尖端实验室，是MEMS压力传感器芯片设计、建模和制造方面的领导者。NovaSensor压力传感器产品线包括先进、高性能和高性价比的传感器解决方案，以其精度、可靠性和尺寸而闻名世界。NovaSensor压力传感解决方案包括表面贴装、混合和介质隔离产品系列，提供从未校准到完全校准、放大模拟和数字输出版本的所有类别。

据麦姆斯咨询介绍，NovaSensor压阻式MEMS压力传感器芯片P111尺寸为0.10英寸 x 0.12英寸（2.7毫米 x 3.2毫米）。在1.0毫安的电流驱动时，P111会产生与输入压力成正比的毫伏输出。该芯片为绝压测量，其介质测量压力以芯片内部真空压力为基准。借助NovaSensor的SenStable工艺，P111可提供出色的长期稳定性和极佳的重复性。

安费诺NovaSensor压力传感器芯片P111

本报告针对全球领先的MEMS压力传感器厂商安费诺（Amphenol）旗下的NovaSensor压力传感器芯片P111进行物理分析，包括芯片剖析、材料分析、压敏电阻和热敏电阻分析等，并依此推测出这款MEMS芯片的制造工艺，此外还绘制了光刻版图以及给出仿真模型以供参考。最后，我们还检索并分析了产品的专利情况。具体内容如下：

1. 首先对P111整体进行拍照与分析，芯片正面为集成惠斯通电桥的单层硅结构悬膜，芯片底面为玻璃基底。然后重点对MEMS结构进行物理分析，包括芯片表面和剖面膜层结构及相关材料分析。该芯片的惠斯通电桥由四个压敏电阻（轻掺杂压阻条+重掺杂连接线）和金属铝（Al）引线组成，另外还有两个热敏电阻作为温度传感器，以实现温度补偿功能。

安费诺NovaSensor压力传感器芯片P111外观尺寸

安费诺NovaSensor压力传感器芯片P111剖面图

2. 根据P111物理分析结果，绘制MEMS芯片结构示意图，并对MEMS芯片制造工艺进行分析与推测，其离子注入工艺分为两次重掺杂和一次轻掺杂，硅芯片背面的硅槽采用各向异性湿法刻蚀工艺制备而成，并与玻璃基底进行阳极键合。

安费诺NovaSensor压力传感器芯片P111结构示意图

3. 根据P111工艺分析结果，对MEMS芯片版图进行绘制，共得到8张光刻版图：（1）正面7道光刻工艺，分别用于对准标记、N型重掺杂、P型轻掺杂、P型重掺杂、电磁屏蔽层、接触通孔和金属的图形化；（2）背面1道光刻工艺，用于硅槽刻蚀的图形化。根据光刻版图，还建立MEMS芯片仿真模型并设置物理场边界条件，进而对满量程输出进行分析。

4. 根据P111物理分析与工艺分析内容，进行相关专利检索与分析，提供从专利到产品的映射关系，有助于读者理解技术要点及专利保护范围，并进行侵权关联性分析，从而可以有效避免侵权纠纷的发生。

本报告还提供MEMS压力传感器芯片版图GDS文件、COMSOL仿真文件，以及产品专利数据库。

若需要购买《安费诺NovaSensor压力传感器芯片P111》报告，请联系麦姆斯咨询王懿，邮箱：wangyi#memsconsulting.com（#换成@）；电话：17898818163。