《3轴MEMS陀螺仪:ST L3G4200D》
2013-08-08 20:34:29   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

本报告解剖了意法半导体首款消费类、低功耗、数字输出三轴陀螺仪:L3G4200D,清晰呈现了该产品的封装、工艺和MEMS结构细节,细致阐述了MEMS陀螺仪的设计要点和器件特性。除了传统的物理剖析,本报告的特色之处在于:意法半导体陀螺仪的心跳式结构运动模态分析。

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——逆向分析

本报告解剖了意法半导体首款消费类、低功耗、数字输出三轴陀螺仪:L3G4200D,清晰呈现了该产品的封装、工艺和MEMS结构细节,细致阐述了MEMS陀螺仪的设计要点和器件特性。除了传统的物理剖析,本报告的特色之处在于:意法半导体陀螺仪的心跳式结构运动模态分析。

语言:中文

价格:9999元人民币

本报告提供仿真视频文件。如果您需要L3G4200D运动模态的仿真文件(gds或dxf),也请联系我们。

本报告提供完整的MEMS陀螺仪逆向分析:
* 清晰的解剖照片
* 材料分析
* 示意图装配分析
* 制造工艺流程
* ASIC电路模块分析
* 心跳式结构运动模态分析
* 软件仿真视频

三轴陀螺仪:L3G4200D

L3G4200D是一款低功耗、数字输出三轴陀螺仪,在整个操作温度范围内及长时期使用后依然能够保持无与伦比的零速率稳定性与灵敏度。该陀螺仪包含MEMS感测芯片与ASIC处理芯片,可通过数字接口(I2C/SPI)将角速率测量值传输到外接器件。L3G4200D具有±250/±500/±2000 dps的满量程测量范围,能够以用户选择的量程来测量角速度。L3G4200D采用塑料栅格阵列(LGA)封装,可于-40℃至+85℃的温度范围内操作。典型产品应用:苹果iPhone 4。

封装信息:

L3G4200D封装信息

L3G4200D采用LGA-16封装形式(Land Grid Array,栅格阵列封装),引脚间距为0.65mm。相比其竞争对手应美盛(INVENSENSE,NASDAQ:INVN)的QFN-24封装形式,具有引脚少、引脚间距大、引出方式简单等优点。L3G4200D封装尺寸为4mm x 4mm x 1.1mm。

以下为报告精彩掠影:

L3G4200D的X射线透视图

L3G4200D开盖俯视图

ASIC芯片Corner和键合PADs

L3G4200D中各芯片工艺

L3G4200D四种模态

报告目录:

图片目录

表格目录

报告摘要

1 公司和产品介绍
1.1 意法半导体介绍
1.2 L3G4200D产品介绍

2 物理分析概览
2.1 封装信息
2.2 引脚定义
2.3 X射线透视图
2.4 截面扫描电镜图
2.5 开盖俯视图

3 ASIC芯片
3.1 ASIC芯片俯视图
3.2 ASIC芯片布局分析
3.3 ASIC芯片PADs
3.4 ASIC芯片识别代码
3.5 ASIC芯片截面扫描电镜图

4 MEMS芯片
4.1 MEMS芯片俯视图
4.2 MEMS芯片开盖图
4.3 MEMS芯片截面扫描电镜图
4.4 MEMS芯片的结构层扫描电镜图
4.5 MEMS芯片的底层结构分析
4.6 MEMS芯片的密封盖
4.7 MEMS芯片的结构层细节分析
4.8 MEMS芯片的中心区域
4.9 MEMS芯片PADs

5 工艺分析
5.1 L3G4200D中各芯片工艺
5.2 THELMA工艺
5.2.1 工艺背景
5.2.2工艺优劣势
5.2.3 工艺实现步骤
5.2.4 工艺难点及失效分析

6 心跳式结构分析
6.1 心跳式结构运动模式分析
6.2 MEMS芯片结构部件分析

7 参考模态分析
7.1 L3G4200D四种模块
7.2 驱动模态
7.3 X轴检测模态
7.4 Y轴检测模态
7.5 Z轴检测模态

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