《新兴非易失性存储器（NVM）市场与技术趋势-2026版》
2026-07-05 14:56:40   来源：麦姆斯咨询   评论：0   点击：

Emerging Non-Volatile Memory 2026

新兴非易失性存储器市场规模有望在2031年突破40亿美元

新兴非易失性存储器（NVM）正步入更大规模的增长阶段，预计到2031年，其嵌入式与独立式产品的合计市场规模将达到约45亿美元，复合年增长率（CAGR）约为49%。未来市场增长将几乎完全由嵌入式产品驱动。预计到2031年，嵌入式阻变存储器（RRAM）、磁阻随机存储器（MRAM）和相变存储器（PCM）三者合计市场规模将超过40亿美元。随着应用不断扩展，这些存储器将广泛应用于微控制器（MCU）、模拟/BCD集成电路、显示驱动芯片、连接芯片（Connectivity IC）以及专用集成电路（ASIC）等领域。

2025～2031年嵌入式非易失性存储器市场预测

凭借在成本、可扩展性和集成灵活性方面的综合优势，RRAM有望成为嵌入式新兴非易失性存储器领域营收贡献最大的技术，预计到2031年将超过20亿美元。MRAM和PCM也将保持稳健增长（尽管应用场景相对特定），预计到2031年营收分别达到约11亿美元和近9亿美元。相关晶圆需求量的增长进一步印证了这一加速趋势，预计将从2025年的每月约1.2万片增至2031年的约17.6万片。

相比之下，独立式新兴非易失性存储器市场规模增长相对有限，预计将从2025年的约1亿美元增至2031年的约4亿美元。在当前的人工智能（AI）产业超级周期中，资本与制造产能主要集中于高带宽存储器（HBM）、先进3D NAND及未来的3D DRAM；尽管业界对类SCM（存储级内存）架构的研发兴趣重燃，但上述资源配置格局限制了该类架构近期的增长势头。

RRAM拥有最广泛的生态系统，MRAM瞄准低功耗与高可靠性应用，PCM仍主要由意法半导体推动

新兴非易失性存储器（NVM）产业格局正日趋清晰，RRAM、MRAM和PCM分别沿着不同的商业化路径发展。各大晶圆代工厂持续拓展嵌入式新兴非易失性存储器路线图，从平面CMOS工艺延伸至FinFET及各类特色工艺平台。其中，台积电（TSMC）依然是行业关键标杆，三星（Samsung）晶圆代工厂在先进制程节点推进嵌入式 MRAM，而格芯（GlobalFoundries）、联电（UMC）、VSMC则在差异化及区域性平台上积极布局。

新兴非易失性存储器制造路线图

RRAM凭借最广泛的生态系统（主要由大型代工厂和IDM厂商主导）正蓄势待发。台积电继续发挥行业风向标作用，而格芯、联电、中芯国际（SMIC）、DB HiTek、SkyWater、安森美（onsemi）和德州仪器（TI）等企业的参与，则彰显了代工厂与IDM厂商阵营的不断扩大。与此同时，Weebit Nano等IP与技术提供商助力生态系统扩张，英飞凌（Infineon）则是该技术最受瞩目的产品应用厂商之一。

相比之下，MRAM的发展更偏向于特定应用场景，但其在低功耗、高性能和高可靠性领域的定位正不断增强。瑞萨（Renesas）、恩智浦（NXP）、Everspin、Avalanche和Netsol等厂商的布局，体现了嵌入式和独立式存储器应用领域对该技术的广泛需求。PCM仍是厂商特征最鲜明的技术，意法半导体（STMicroelectronics）正通过xMemory技术平台和车规级MCU平台积极推动其商业化进程。

此外，中国也在从研发与原型验证阶段向早期产业化阶段迈进，特别是在嵌入式RRAM领域。

新兴非易失性存储器持续成为嵌入式存储器扩展的重要方案，技术路线正根据不同应用需求不断分化

新兴非易失性存储器之所以备受关注，主要得益于嵌入式存储器工艺扩展的需求。随着嵌入式Flash（eFlash）在28纳米以下工艺节点的微缩效率难以为继，新兴非易失性存储器正成为更具吸引力的替代方案。嵌入式MRAM正逐渐成熟，成为一种稳健且高性能的选择；该技术已在22/28纳米节点实现商用，凭借出色的耐用性、数据保持能力及快速读取特性，非常适合汽车电子应用。RRAM凭借其对晶圆代工厂工艺友好的材料特性及与逻辑工艺的兼容性，正成为最具广泛应用前景的低成本解决方案；与此同时，PCM在高端汽车电子及MCU/SoC平台领域依然占据重要地位。MRAM的应用场景也在不断拓展：除了替代eFlash，它正向着类SRAM存储及基于Chiplet（芯粒）架构的近计算存储应用领域迈进。

新兴非易失性存储器技术对比

此外，一系列极具潜力的新型存储技术也吸引了研发界与投资界的广泛关注，包括基于HfO₂（二氧化铪）的铁电存储技术（如FRAM、FeFET、FTJ）、美光的NVDRAM、SOT-MRAM、VCMA-MRAM、CeRAM、莫特绝缘体（Mott-insulator）存储器以及ULTRARAM等。这些技术各具优势，涵盖了从低功耗开关特性、类SRAM的高速性能到创新的微缩路径等多种特性。而基于模拟RRAM和PCM的存内计算（In-memory computing）技术，则开辟了另一个充满希望且极具差异化价值的前沿领域。

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