《新兴非易失性存储器对比分析-2026版》
2026-01-15 09:16:00   来源：麦姆斯咨询   评论：0   点击：

Emerging Non-Volatile Memory Comparison 2026

本报告针对嵌入式非易失性存储器（eNVM）与嵌入式闪存（eFLASH）在性能、光刻次数和成本方面进行对比分析。

据麦姆斯咨询介绍，新兴非易失性存储器（NVM）市场正进入新的增长阶段，主要驱动力是嵌入式应用。法国知名研究公司Yole预计，到2030年，新兴非易失性存储器市场营收将达到36亿美元，2025年至2030年的复合年增长率（CAGR）可达45%。自英特尔（Intel）退出3D XPoint之后，独立存储器的发展势头有所减弱，而嵌入式非易失性存储器技术（eMRAM、ePCM和eReRAM）在微控制器（MCU）、系统级芯片（SoC）和专用集成电路（ASIC）中的采用率不断上升，应用领域涵盖物联网（IoT）、边缘人工智能（AI）、互联以及汽车应用等。

嵌入式MRAM，尤其是eReRAM，其应用范围正从MCU扩展到SoC、ASIC、射频（RF）、边缘人工智能处理器和显示驱动芯片领域。在主要半导体厂商的引领下，低功耗SoC中的采用率正在加速提升，而eReRAM则逐渐成为显示驱动芯片的高性价比解决方案，在中国市场尤为如此。与此同时，晶圆代工厂正将ReRAM集成到BCD平台（65–22 nm）中，用于电源管理、传感器和通信IC。

新唐科技（Nuvoton）M2L31系列ReRAM芯片剖面图

台积电（TSMC）28 nm ReRAM芯片去层SEM照片

随着在大规模应用中的渗透率不断提高，eReRAM正逐渐成为下一代嵌入式非易失性存储器的领先者。英飞凌（Infineon）与台积电合作开发的集成嵌入式ReRAM的28 nm汽车MCU就体现了这一趋势，彰显了其成本效益和可靠性。

Ambiq边缘AI处理器Apollo510芯片剖面图（注：Apollo510具有64KB I-Cache和64KB D-Cache、3.75MB系统RAM和4MB嵌入式非易失性存储器，用于code/data）

本报告对台积电eReRAM工艺节点（40 nm、28 nm和22 nm）进行了对比分析，并对基于22 nm节点的eReRAM和eMRAM进行了评估。本报告基于光学、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线和能量色散X射线光谱（EDX）成像提供了详细的逆向成本分析，并强调了不同技术之间的物理差异及其对制造成本的影响。

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