国星光电:新获关于晶圆级封装专利!
2015-08-17 08:01:00 来源:微迷 评论:0 点击:
2015年7月21日国星光电公告,公司于近日取得一项发明专利,并获得了由国家知识产权局颁发的专利证书,专利名称用于在晶圆级封装中暴露电极的方法及掩膜版,专利号ZL201210194780 9,专利期限20年。
2015年7月21日国星光电公告,公司于近日取得一项发明专利,并获得了由国家知识产权局颁发的专利证书,专利名称用于在晶圆级封装中暴露电极的方法及掩膜版,专利号ZL201210194780.9,专利期限20年。
对于国星光电而言,这将是机遇与挑战并存。此次专利的取得不会对公司生产经营产生重大影响,但有利于保护和发挥公司自主知识产权优势,形成持续创新机制,保持技术领先地位,提升公司的核心竞争力。
相关热词搜索:晶圆级封装
上一篇:晶方科技2015半年报:营收增长利润下滑,12寸晶圆级封装技术顺利推进
下一篇:扇出型晶圆级封装将成先进封装技术发展要点