《III-V族氮化物半导体技术领域的专利动态监测》
2017-06-05 22:16:51   来源：麦姆斯咨询   评论：0   点击：

III-N Patent Watch

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及时获取每月最新的专利申请、专利授权、专利过期、专利放弃、专利转移及专利诉讼信息。

III-V族氮化物是化合物半导体产业专利活动最活跃的技术领域

据麦姆斯咨询资料显示，过去25年来，III-V族氮化物半导体家族吸引了广泛的研究关注，因而该领域的专利活动非常活跃，在过去十年间专利申请量获得了大幅增长。自上世纪90年代早期以来，全球共公开了超过8万件与III-V族氮化物技术相关的授权专利和专利申请。据国际著名市场研究公司Yole Développement预测，2016年的全球GaN市场规模大约为160亿美元，到2020年预计将增长至200亿美元，这期间的复合年增长率（CAGR）为5%，其市场增长动力主要来自射频和功率GaN等新兴市场。如今，越来越多的厂商正在进入该市场。GaN技术正不断扩张至价值链的各个方面，不过，未来几年内，该市场将加速固化。

在如此快速增长且动态变化的III-V族氮化物市场，非常有必要追踪该领域专利动态，以预测产业动向、快速探知商业机遇、规避产业风险并制定战略决策。

专利监测服务

监测竞争对手专利活动及其未来动向

专利监测服务，将帮助您及时把握竞争对手当前的专利申请状况、专利动态信息、收购和授权等专利转移信息、专利诉讼、技术开发及研发策略等信息。还能帮助您快速探知所关注业务领域内的新入局者。

追踪最新技术发展状况、把握技术趋势

通过关注所有近期的专利申请，能够帮助您追踪III-V族氮化物技术领域最新的创新技术，获取最新申请发明专利的所有详细信息，方便您跟踪技术发展趋势，为新技术解决方案的开发带来灵感，提高研发效率。

尽早采取有效措施防止对您业务有影响专利的授权

对于那些对您业务有影响的专利，使您在它们授权之前获取相关信息，帮助您及时采取措施防止这些专利的授权。

及时应对侵权、避免法律风险

监测新公布专利及专利诉讼信息，帮助您定期评估业务领域的专利保护状况，以保证产品或工艺不在已授权专利的覆盖保护范围内，确保其制造、销售或应用不会侵犯其它厂商的有效专利。

充分利用公知技术，降低研发风险

通过跟踪过期专利或弃权专利，您可以识别出进入公知状态的发明技术，安全的将这些公知技术应用于您的产品开发。

高价值的月度专利数据库

III-V族氮化物专利监测服务提供每月更新的Excel数据库，内容包括与GaN、AlN、InN、AlGaN、InGaN及AlInN合金等III-V族氮化物技术相关的最新专利申请、最新授权专利、过期和弃权专利、收购和授权等专利转移，以及值得关注的专利诉讼信息等。

本服务监测的专利按应用分类覆盖了LED、激光器、功率电子、射频器件、MEMS传感器及光伏等；按结构类型，覆盖了体GaN衬底、freestanding、templates、epiwafers及纳米线等；主衬底包括GaN-on-Sapphire、GaN-on-Silicon及GaN-on-SiC等；生长技术包括MOCVD、MBE、HVPE、Ammonothermal和LPE等；按材料性质覆盖了极性、非极性及半极性。

这份有价值的专利数据库支持多字段检索，包括：专利号、原始文件的链接、优先权日、专利申请人、标题、摘要、权力要求、技术细分领域、当前法律状态（审查中、授权、过期或弃权）。该数据库还包含了相关的图表，以突出主要的专利申请人、专利申请国家以及每个细分技术领域的专利动态等信息。

月度专利数据库

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