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首个毫米波砷化镓平台投产,预示着5G毫米波前端的到来?!
2019-06-07 14:47:50   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

据麦姆斯咨询报道,位于台湾省桃源市的稳懋半导体(Win Semiconductors)是台湾规模最大的纯化合物半导体晶圆代工厂,对外宣布高度集成的毫米波(mmWave)砷化镓(GaAs)平台——PIH1-10投入商用。

据麦姆斯咨询报道,位于台湾省桃源市的稳懋半导体(Win Semiconductors)是台湾规模最大的纯化合物半导体晶圆代工厂,对外宣布高度集成的毫米波(mmWave)砷化镓(GaAs)平台——PIH1-10投入商用。

首个毫米波砷化镓平台投产,预示着5G毫米波前端的到来?!

为适应5G前端的优化需求,PIH1-10技术将100GHz ƒT增强型赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)和单片PIN、肖特基二极管相结合,据称能为所有前端功能提供最佳的毫米波性能。稳懋半导体称其是第一家将集成砷化镓平台商业化的化合物半导体晶圆代工厂,PIH1-10平台能够为5G手机和毫米波无线电接入网络(RAN)提供单芯片前端制造能力。

PIH1-10平台的核心器件是增强型pHEMT,它为毫米波发射功率放大器提供增益、功率密度和效率,接收低噪声放大器(LNA)所需的噪声性能。该种多用途的单电源晶体管可支持在毫米波频段的发送端功率水平为30dBm、接收端噪声系数为2.5dB。此外,集成PIN二极管提供具有<1db插入损耗的毫米波发送/接收(Tx/Rx)开关功能,使所有前端功能在单颗芯片上实现单片集成。稳懋半导体称,就前端功能而言,砷化镓技术均优于BiCMOS,PIH1-10平台完成的毫米波单芯片前端可以降低阵列功耗,简化热管理,延长5G用户设备的电池寿命,同时降低了毫米波接入点的总体成本。

“PIH-10的商用投产为业界提供了一套提高毫米波前端性能的全新集成砷化镓解决方案。”稳懋半导体高级副总裁David Danzilio说,“将高效率Ka波段砷化镓功率放大器、低噪声放大器和低损耗开关集成于一颗紧凑的单芯片前端,可以提高电池寿命和5G毫米波覆盖范围,从而增强用户体验。集成的砷化镓前端也可用于毫米波接入点,而PIH1-10带来的更高发送端功率和效率使得有源天线阵列更小,总功耗比现有的RAN硬件更低。网络使用者希望无线供应链能够降低设备的总拥有成本,并提供灵活的毫米波有源天线解决方案,以支持多种部署方案。性能更高的集成砷化镓前端提供了满足这些不同要求的最佳途径。”

延伸阅读:

《单片微波集成电路(MMIC)市场-2019版》

《砷化镓(GaAs)晶圆和外延片市场》

《5G对手机射频前端模组和连接性的影响》

《硅基GaN HEMT和SJ MOSFET技术及成本比较》

《Wolfspeed射频氮化镓HEMT:CGHV40100F》

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