中芯国际联手Invensas推出DBI技术平台
2017-11-08 22:50:20 来源：微迷 评论：0 点击：
中芯国际集成电路制造有限公司与Xperi全资子公司Invensas, 今日共同宣布中芯国际位于意大利Avezzano的工厂已成功建立Invensas直接键合互联（DBI& 174;）技术制造能力。这使得中芯国际能够支持高性能、混合堆叠背照式（BSI）图像传感器以及其他半导体器件日益增长的技术需求。
领先的半导体代工企业能够为图像传感器解决方案提供Invensas晶圆键合与3D互联技术。
中芯国际集成电路制造有限公司与Xperi全资子公司Invensas, 今日共同宣布中芯国际位于意大利Avezzano的工厂已成功建立Invensas直接键合互联（DBI®）技术制造能力。这使得中芯国际能够支持高性能、混合堆叠背照式（BSI）图像传感器以及其他半导体器件日益增长的技术需求，并广泛应用于智能手机及汽车电子等终端产品制造。此前中芯国际与Invensas已在2017年3月签署技术转让协议。
中芯国际Avezzano工厂技术研发部副总裁Robert Bez表示，“通过与Invensas团队的密切合作，我们能够快速掌握DBI制造工艺，目前已经具备为图像传感器、MEMS传感集线器、电源管理集成电路及更多领域的客户提供200mm DBI技术的能力。”
“Invensas的DBI技术能够为移动通讯、汽车电子及消费电子领域提供高性能图像传感器，”中芯国际全球市场部资深副总裁许天燊表示，“拥有此项技术，中芯国际将进一步在全球扩大包括200mm及300mm在内的量产能力。”
“中芯国际优秀的制造团队圆满完成了将我们的DBI技术融入其大规模生产环境的任务。”Invensas总裁Craig Mitchell表示，“我们很高兴地宣布中芯国际已能够承接客户订单并运用DBI工艺支持BSI图像传感器的量产需求。我们希望双方能够持续合作，共同扩大此技术平台以支持更多的产品和应用。”
DBI技术是一项低温混合晶圆键合解决方案，能够在无压力下键合，实现异质晶圆特殊细间距3D电子互联。DBI 3D互联可以消除对TSV缩小尺寸和降低成本的需求，同时为下一代图像传感器提供像素级互联技术路线。
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