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可调谐MEMS-VCSEL的高对比度光栅优化
2026-05-08 17:07:42   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

丹麦技术大学重点研究了用于MEMS-VCSEL的高对比度光栅(HCG)设计与优化。该优化工作旨在抑制因忽略入射角影响时产生的反射率下降,从而实现更宽的反射率带宽。

可调谐MEMS-VCSEL的高对比度光栅优化

可调谐光源在各类医学领域具有重要作用,常被用于扫频源光学相干断层扫描(SS-OCT)系统中,以实现成像和诊断功能。微机电系统-垂直腔表面发射激光器(MEMS-VCSEL)是一种可调谐器件,能够以高速在宽波长范围扫频。其中,1060 nm中心波长因水吸收率低和散射少,可穿透眼部组织直达视网膜,因此在眼科等应用中备受青睐。研究表明,以1060 nm为中心、带宽约100 nm的范围内存在一个低吸收透射窗口。此类器件核心结构主要由固定反射镜、可动反射镜以及有源区域组成。

据麦姆斯咨询报道,近期,丹麦技术大学(Technical University of Denmark)重点研究了用于MEMS-VCSEL的高对比度光栅(HCG)设计与优化。该优化工作旨在抑制因忽略入射角影响时产生的反射率下降,从而实现更宽的反射率带宽。这项研究提出两种新设计方案:低占空比HCG(LDC)和聚焦型HCG(FCS)。通过时域有限差分法(FDTD)三维(3D)模拟完成设计验证,并进行器件制备与性能评估。相关研究成果以“High Contrast Grating Optimization for a Tunable 1060 nm MEMS-VCSEL”为题发表于IEEE Photonics Journal期刊。

优化型HCG的设计方案

本次重新设计HCG的主要目标是优化HCG,以消除在二维(2D)模拟无法表征的由入射角效应引起的反射率下降。设计以标准HCG(STD)设计为基准,即周期460 nm、占空比(DC)72%、厚度280 nm的均匀光栅。虽然2D模拟(CAMFR,如图2)的结果显示反射率带宽较宽,但3D FDTD模拟显示出带宽明显下降(如图1)。为突破这一局限,研究团队提出了两种新设计:LDC设计和FCS设计。

厚度280 nm的HCG反射率FDTD模拟结果

图1 厚度280 nm的HCG反射率FDTD模拟结果

厚度280 nm的HCG反射率99.5%带宽等值线图

图2 厚度280 nm的HCG反射率99.5%带宽等值线图

拓宽反射率带宽的第一种方法是采用比STD设计更低的占空比。结合图2与已有研究结论,在保证反射率带宽仍大于60 nm,选定等值线图中低值区域的占空比和周期。新LDC参数为周期430 nm、占空比63%。

MEMS可调谐VCSEL需在可动反射镜与半腔VCSEL之间需要留有空气间隙(air-gap)。本研究设计了一种聚焦型反射镜(FCS),其周期和占空比会根据半径进行调整。设计目标是使该镜面能匹配入射高斯光束在HCG的相位变化,且光束腰位于半腔VCSEL与空气间隙的界面处。通过这种方式,可将衍射损耗降至最低。HCG是基于优化多项式,通过局部调整占空比和周期构建而成。图3展示了所获得的FCS 12 μm的设计结果。

直径12 μm的聚焦型HCG(FCS)设计结果

图3 直径12 μm的聚焦型HCG(FCS)设计结果

除了将占空比调整至低于平面波最优值外,上述设计均未考虑反射率的角度依赖性。虽然可以利用这些工具进行更精确的计算,但光栅的四分之一区域内的每个点角度各不相同,因此计算负荷(尤其是优化过程的计算负荷)将非常巨大。利用Lumerical中的3D FDTD模型进行模拟,以验证新型HCG的性能。图4展示了STD、LDC和FCS制造设计的掩模。

不同MEMS-VCSEL制造设计的掩模

图4 不同MEMS-VCSEL制造设计的掩模

图1展示了LDC和FCS四种新设计与STD设计的FDTD模拟结果。结果表明,新设计的反射率带宽相近,且均不存在STD设计中出现的反射率下降问题。

MEMS-VCSEL制造工艺

在通过模拟评估新设计的性能后,研究人员制造了采用新型HCG的MEMS-VCSEL。该制造工艺基于半导体分布式布拉格反射镜(DBR)结构,但将AlAs/GaAs替换为AlGaAs/GaAs,以拓展其反射率带宽。第一步是通过电子束光刻定义HCG,然后采用BCl₃和Cl₂混合气体对其进行干法蚀刻;接着通过湿法蚀刻制备MEMS台面。随后在台面上覆盖Al₂O₃和SiO₂作为绝缘层,并对这些介电质层进行图案化处理,以形成金属电极通孔。然后沉积各类金属电极:MEMS电极、激光器p型电极以及激光器背面n型电极。图5展示了完整的制造工艺步骤。

MEMS-VCSEL器件制造工艺步骤

图5 MEMS-VCSEL器件制造工艺步骤

MEMS-VCSEL性能评估

研究人员对所制备的MEMS-VCSEL进行了表征,比较了新设计与STD设计的性能。表1中列出了不同模型的所有调谐范围,其中STD 10 μm设计(方形)采用800 kHz扫频,其余5种圆形设计采用400 kHz扫频。不同模型之间使用频率的差异源于其机械性能的差异。与方形STD设计相比,圆形HCG悬臂更长且质量更大,这降低了MEMS的弹簧常数;由于MEMS结构可等效为谐振子,也导致其谐振频率下降。

表1 MEMS-VCSEL性能表征汇总

MEMS-VCSEL性能表征汇总

总结

综上所述,这项研究验证了优化高对比度光栅(HCG)结构可提升MEMS-VCSEL的波长调谐范围的潜力。结果表明,新设计中表现最佳的为直径为16 μm的LDC设计,最大可调谐范围达67.8 nm,平均可调谐范围达55.8 nm,显著优于标准设计(两项指标分别为62.2 nm和50.2 nm)。此外,在电流阈值、输出功率和远场分布等方面,新设计相较于与标准设计表现出更优的性能。该研究表明,采用3D模型进行HCG设计,可显著提升HCG的性能。该优化方案有助于采用MEMS-VCSEL的SS-OCT系统实现更高质量的成像。

论文链接:https://doi.org/10.1109/JPHOT.2026.3671142

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