IQE最新IQepiMo技术提升BAW滤波器性能,以满足5G高频需求
2021-02-22 09:34:06   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

据麦姆斯咨询报道,先进半导体晶圆产品和材料解决方案的全球供应商IQE在IQepiMo模板(templates)技术开发方面取得了重大的里程碑进展,助力高性能体声波(BAW)射频滤波器量产。

据麦姆斯咨询报道,先进半导体晶圆产品和材料解决方案的全球供应商IQE在IQepiMo™模板(templates)技术开发方面取得了重大的里程碑进展,助力高性能体声波(BAW)射频滤波器量产。IQE客户的设备数据显示,与现有技术相比,使用IQE模板制造的BAW滤波器表现出更好的性能。

自2020年11月发布公告以来,IQE已经与潜在客户和合作伙伴一起试用了IQepiMo™产品。最新数据表明,与传统技术相比,IQepiMo™使客户能够实现改进的机电耦合系数(k2)——这是衡量射频滤波器性能的一项关键指标。

初步数据显示,在6GHz频率下,k2增大了40%。目前,产业界发现在这些较高频率下使用传统的BAW滤波器技术很难获得高性能。这些数据证实了使用IQepiMo™可以获得优异的材料质量,在5G应用的高频范围内,能够显著提升BAW滤波器性能。

IQE及其合作伙伴仍在进行更多的试验和测试,以进一步完善这项技术,以满足高端BAW过滤器的各项需求。预计IQE模板将为高Sc掺杂的ScAlN BAW滤波器设计带来明显优势,该设计将在更高的5G应用频率下形成高性能滤波器的关键组成部分。随着BAW滤波器中Sc含量的增加,保证声学材料的高质量和高性能变得越来越具有挑战性。IQepiMo™为客户提供了一条克服这些固有挑战的途径,同时仍然使用其当前的基础架构和流程。

IQepiMo™建立在IQE cREO®技术平台上(该平台于2018年3月被IQE收购),可提供的模板直径最大为200mm。

IQE首席技术官Rodney Pelzel博士表示,“IQE为广泛的半导体行业投资研发独特的材料技术,我们为客户提供改进的5G射频器件性能和解决方案,并且目前处于领先地位。这是我们IQepMo™模板技术的关键里程碑,可以为客户提供必要的手段,使他们当前的基础架构和流程能够提供5G滤波器所需的苛刻性能,尤其是在更高的频率应用环境。”

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