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SAW滤波器进军中高频段市场,键合技术来助力!
2020-01-18 11:02:48   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

据麦姆斯咨询介绍,多年来,体声波滤波器(BAW)一直引领着移动通信中高频段射频(RF)滤波器技术。如今,新兴的薄膜声表面波滤波器(TF-SAW)技术可能会扰乱这个市场。

微访谈:EV集团产品营销经理Elisabeth Brandl

据麦姆斯咨询介绍,多年来,体声波滤波器(BAW)一直引领着移动通信中高频段射频(RF)滤波器技术。如今,新兴的薄膜声表面波滤波器(TF-SAW)技术可能会扰乱这个市场。正如Yole在报告《5G对手机射频前端模组和连接性的影响-2019版》表示,相比传统的SAW滤波器和温度补偿(TC-SAW)滤波器(更多信息请参考《村田低频段前端模组中的TC-SAW滤波器》),新兴的TF-SAW技术具有一些优势,而且成本也低于BAW滤波器。TF-SAW滤波器能提供相对较大的带宽,同时提供良好的温度补偿性能和多频带集成的有效路径。村田已凭借其集成2.4 GHz Wi-Fi滤波器、双工器B25、四工器B25-B66的高性能(IHP)SAW滤波器设计,赢得了设计大奖。System Plus Consulting在《村田超级高性能(IHP)SAW滤波器》报告中分析了这款IHP SAW滤波器,首次对这种具有发展前景的TF-SAW技术进行了成本估算。我们发现键合设备供应商在工程衬底(engineered substrate)中扮演了关键角色,其中EV集团(以下简称:EVG)则是该领域的领先厂商。Yole分析师Cedric Malaquin和System Plus Consulting分析师Stephane Elisabeth采访了EVG产品营销经理Elisabeth Brandl,对射频(RF)滤波器发展进行了探讨。

成本分析:IHP SAW滤波器 vs. BAW滤波器(包括FBAR和SMR)

成本分析:IHP SAW滤波器 vs. BAW滤波器(包括FBAR和SMR)

(来源:《村田超级高性能(IHP)SAW滤波器》

EVG产品营销经理Elisabeth Brandl

EVG产品营销经理Elisabeth Brandl

Cedric Malaquin(以下简称:CM):首先请您向大家介绍EVG的行业地位和企业使命,谢谢!

Elisabeth Brandl(以下简称EB):EVG是半导体和MEMS行业的优秀供应商。我们不仅提供半导体设备,还能够根据市场需求对设备进行调整以提供完整的解决方案。EVG的愿景是率先探索新技术并服务于微米和纳米加工技术的下一代应用,从而使客户成功地将新产品创意变为现实。我们提供键合和光刻等不同工艺设备以及宽敞的洁净室,让客户获得从头开发工艺并尝试新想法的机会。EVG这种模式充当了创新孵化器的角色,通过再建立新的洁净室,我们将进一步加强工艺开发和小规模生产能力。

Stephane Elisabeth(以下简称:SE):聚焦于射频滤波器业务,TC-SAW滤波器市场不断增长,TF-SAW滤波器(如IHP-SAW滤波器)时代也将到来。您能否谈谈EVG在推动上述市场方面所做的贡献?

EB:随着5G的推出,射频滤波器面临着新的挑战。对耦合质量、频率精度的要求越来越严格,对反射率的要求提高。此外,由于频谱拥挤对频率波动的影响越来越严重,频率对温度的依赖性也显得尤为关键。

尽管结构特殊,但SAW滤波器具有工作在更高频段的潜力。晶圆键合满足SAW滤波器对多层结构的需求,从而满足5G的新要求并实现更高的工作频率。在5G应用中,将钽酸锂(LTO)或铌酸锂(LNO)制造的压电SAW滤波器晶圆与接收晶圆键合在一起。这些接收晶圆要么由被定义了声学特性的几层结构组成,要么是坚硬的衬底以降低压电LTO和LNO晶圆的热膨胀系数(CTE),因而获得更稳定的温度特性。

5G高性能SAW滤波器的关键衬底

5G高性能SAW滤波器的关键衬底

除键合外,EVG还提供量测技术,可测量键合堆叠中的薄膜厚度或晶圆对准情况。光刻技术(例如涂胶、显影、掩模版对准、压印或最新的无掩模版曝光光刻)完善了我们的产品组合。

CM:IDM厂商是滤波器业务的主导者。但是,无晶圆厂(Fabless)设计公司正在对射频滤波器进行投入,并与滤波器代工厂和衬底供应商合作,试图进入该产业链。在该生态系统中,您认为哪种模式的厂商最容易抓住TC-SAW和TF-SAW商机?

EB:智能手机OEM厂商是射频前端模组和SAW分立器件的重要客户之一。所采用的集成战略正从采购射频模组转向为特定产品定制射频模组。因此,供应链正在悄然发生变化,一些分立器件制造商也开始制造模组,代工厂的角色变得越来越重要;谁掌握了射频模组所有相关元器件,谁就变得越来越强大。因此,LTO和LNO衬底的直接键合被用于制造SAW滤波器裸片。EVG看到了与SAW滤波器制造商及其供应商(包括衬底制造商、晶体生长商等)合作的机会。

除了顶级的SAW滤波器厂商以外,我们还对中国TF-SAW滤波器产业有浓厚的兴趣,因为该技术将在中国5G产业中发挥着重要作用。随着对SAW滤波器需求的增加,所有相关领域都会随之增长。

SE:通常BAW滤波器制造会用到沉积技术和调整(trimming)技术。您认为键合和层转移(layer transfer)技术是否对BAW滤波器市场具有吸引力?

EB:对于BAW滤波器,沉积绝对是提高整体性能的关键工艺,并且需要从衬底上转移。当前,晶圆键合是BAW滤波器封装的一道工艺。压电工程衬底键合的主要市场还是SAW滤波器。

CM:您对射频滤波器的键合市场增长情况持什么观点?

EB:我们需要将用于封装的键合市场和用于工程衬底的键合市场分开审视。受5G对射频滤波器日益严格的规格要求所驱动,工程衬底键合市场将快速增长。用于封装的键合技术已经非常完善,但对于BAW滤波器来讲,键合技术还在持续发展中。

CM:请介绍现有的永久性键合技术以及未来的发展趋势。

EB:工程衬底的直接键合和MEMS的金属键合已经在多个领域得到应用。混合键合是目前最热门的技术,因为它不仅进入了背照式CMOS图像传感器市场,还以不同形式用于3D堆叠应用。由于3D堆叠对混合键合的要求越来越严格,因此进一步推动了其研发进展。

SE:熔融键合(fusion bonding)技术在CMOS图像传感器和MEMS行业中知名度很高。射频滤波器对键合技术是否有特殊要求?射频滤波器对键合界面有何技术规范?

EB:的确如您所说,CMOS图像传感器、MEMS和绝缘体上硅(SOI)晶圆的键合已经批量生产十多年,EVG在某些领域的市场份额已经超过90%,优势十分突出。虽然晶圆与晶圆之间的对准对于CMOS图像传感器来说非常具有挑战性,但对诸如SOI和SAW之类的工程衬底来讲,对准并非最关键的环节。但是,TF-SAW的问题在于其独特的材料特性。压电晶圆的各向异性热膨胀是最大的挑战,因为熔融键合界面需要在键合后进行退火以提高强度。一般采用300℃的退火温度,但常常会引起晶圆破裂。因此,在键合之前对衬底进行等离子体活化改良,能大大降低键合键形成的温度。

SAW滤波器进军中高频段市场,EVG键合技术来助力!

SE:SAW滤波器所用晶圆尺寸从4英寸到6英寸不等。EVG的键合设备是否可以兼容4英寸到6英寸的晶圆?

EB:EVG的设备设计理念是为客户提供灵活性和创新能力。因此,让设备具有可扩展能力是可行的,我们的客户可以在同一台设备上运行更大尺寸的晶圆。

SE:随着LTE和5G手机中滤波器数量不断增加,您是否希望键合设备过渡到8英寸?如果是,请预测发生的时间点。

EB:从设备的角度来看,我们所有的技术都是成熟的,并已证明在12英寸晶圆的批量生产能力。SAW滤波器要增加其晶圆尺寸,面临两个主要问题,一是是否有合适的大尺寸晶圆,第二是与其它材料的热膨胀系数不匹配,这目前限制采用6英寸晶圆的主要因素。预计首批8英寸压电晶圆将在2023年前实现大规模量产。另一方面,BAW器件沉积在硅晶圆上,其尺寸显然不是障碍,许多滤波器厂商都采用8英寸晶圆。

延伸阅读:

《5G对手机射频前端模组和连接性的影响-2019版》

《村田超级高性能(IHP)SAW滤波器》

《村田低频段前端模组中的TC-SAW滤波器》

《压电器件:从块体型到薄膜型-2019版》

《压电器件对比分析:从块体型到薄膜型》

《混合键合技术专利全景分析-2019版》

《新兴半导体衬底技术及市场趋势-2019版》

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