借助RF MEMS可调电容 LTE天线设计更精巧
2013-11-11 09:54:40   来源:微迷   评论:0   点击:

为兼顾轻薄短小外观与LTE多频多模设计要求,移动设备品牌商对可调式射频前端模组设计已日益重视。为此,台湾工研院日前已成功利用高阻值材料,开发出RF MEMS关键元件--可变电容,将有助天线系统设计人员,突破在有限空间内达成MIMO多天线的挑战。

借助RF MEMS可变电容 LTE天线设计更精巧

为兼顾轻薄短小外观与LTE多频多模设计要求,移动设备品牌商对可调式射频前端模组设计已日益重视。为此,台湾工研院日前已成功利用高阻值材料,开发出RF MEMS关键元件--可变电容,将有助天线系统设计人员,突破在有限空间内达成MIMO多天线的挑战。

随着长程演进计划(LTE)系统普及与手机朝轻薄短小设计演进,LTE天线可占用的空间日趋减少,频宽却须相对增加,造成天线效率降低。另外,在频谱资源有限,系统传输速度却仍须提升之下,多重输入多重输出(MIMO)通讯技术将会是未来天线的主流。然而,要在有限空间内配置二至四组天线,且彼此之间不互相干扰,挑战极高,因而成为近几年天线系统设计人员所钻研的重点。本文将分别就天线调节器(Antenna Tuner)及MIMO天线隔离器(Isolator)的应用,以及其中关键零组件--可变电容元件(VariCap)之技术做一说明,借此让读者对射频微机电系统(RF MEMS)技术有概略的认识。

借助可调RF前端模组 多频多模LTE天线高度集成

根据ABI Research预估,至2014年第四季,4G市场订户数将达一亿五千万人。目前各国大型的网路营运商均必须支援至少三至四个通讯标准,如2G、宽频分码多重接取(WCDMA)、全球卫星定位系统(GPS)、无线区域网络(Wi-Fi)等。为因应此一多面向的宽频联网需求,下世代的无线通讯平台除支援更高频宽之外(图1),多天线系统也是必备的条件,它还必须能随着通道环境的变化,选择不同频段进行信号的收发,以达到最佳的通信品质和吞吐量。

各种无线通讯系统资料(传输频宽比较)

图1 各种无线通讯系统资料(传输频宽比较)

也因此,市场分析普遍认为:未来整个多频多模射频前端模组(RF Front-End Module)将采用可调技术,并依照市场的需求性与技术的成熟度,逐渐改为可调模组(图2)。

射频前端模组演进趋势

图2 射频前端模组演进趋势

一般认为,2013年率先登场且被广泛应用的将会是天线调节器,包含可调式阻抗匹配(Tunable Impedance Matching)与天线频率调整(Antenna Frequency Tuning)二种。其中,可调式阻抗匹配可用来增加收发讯号的强度、提升天线的效率及降低功率的损耗。另外,天线频率调整则可增加使用的频宽、缩小天线的尺寸及减少天线数量,符合智能手机日趋短小轻薄的应用。此外,预计2014年将推出可调式负载功率放大器(Tunable Power Amplifier Loading),以提升效率、增加频宽及降低功率损耗。最后,在2015~2016年会将可调式滤波器和双工器整合至射频前端模组,达到改善效率、减少尺寸及降低成本的目的。

导入天线调节器 LTE手机天线设计难题迎刃解

近年来,随着LTE系统在手机上使用愈来愈普及,工程师正面临三大技术困难点,包括如何有效扩增LTE手机天线支持的频段;手机使用者的手势将造成阻抗的偏移,降低天线传输的效率;以及天线的尺寸要如何在更小的体积下设计,亦即在维持RF天线性能下,不影响系统占位空间。

目前一线手机厂已计划扩大导入天线调节器,通过天线频率调整等新技术,降低天线数量、尺寸,并增强讯号接收效能与频宽。图3所示,灰点代表手势的位置越远离天线;黑点代表手势的位置越靠近天线,因此手机使用者的手势位置将改变天线的使用频率,进而影响阻抗的偏移,造成手机效率的下降与耗电量的增加。

使用者手势对天线的影响

图3 使用者手势对天线的影响

一般手机天线的尺寸设计在3cm3以下,且要提升天线的频宽,并维持输入阻抗在50欧姆是非常困难的。举例而言,典型手机天线的频宽范围为824M ~ 960MHz与1710M ~ 2170MHz,在此频宽范围内,其驻波比须达到3:1,该阻抗不匹配将造成1.25dB的能量损耗(图4);但LTE手机的频率将延伸至700MHz,其驻波比势必增加至6:1以上,阻抗不匹配的能量损耗将大于4dB以上,因此要如何在规格尺寸下增加天线的频宽,是非常大的挑战。

阻抗不匹配所造成的损耗

图4 阻抗不匹配所造成的损耗

为解决上述问题,三星智能手机内部率先使用WiSpry的天线调节器,以减少阻抗不匹配损耗,提升天线传输效率,达到智能手机省电的效果。这不仅是WiSpry,也是RF MEMS的历史性时刻,因为这是商用消费产品中,首款RF MEMS。

紧接而来,EPCOS推出第一颗闭环回路(Close Loop)天线调节器,可动态且连续性自动调节天线的最佳匹配状态,使得天线特性大幅提升。RFMD也成功地将RF1102天线调节器集成至iPhone 5,改善LTE低频段的分集天线(Diversity Antenna)特性。此外,Paratek也发布一闭回路阻抗调节器,包含三颗BST(BaxSr1-xTiO3)可变电容元件、感测模组、控制晶片及演算法等,可随时调整手机发射特性至最佳化。Peregrine也发表一款整合型阻抗调节器,包含四颗可变电容元件、二颗固定电容元件及控制序列介面等,用来提升整体射频系统及频段之间的特性(表1)。

各厂家天线调节器参数性能对比

克服低频MIMO设计关卡 可调式天线隔离技术发威

在天线设计方面,MIMO多天线架构,利用多天线在相同时间、相同频段,传送多组具有正交编码之数据串流,以达到空间多工,可在不增加通讯资源下,提升系统有效资料传输率两倍或更多倍(图5),完全符合LTE宽频应用需求,故MIMO天线技术将为市场未来主流。

MIMO多天线系统之资料传输率比较

图5 MIMO多天线系统之资料传输率比较

也因此,若能将LTE多天线系统成功实现于移动通讯设备当中,将会给使用者带来更便捷快速的无线应用生活,预期具有广大的市场商机。

以LTE MIMO多频(低频700MHz、高频2.6GHz)天线设计为例,700MHz频率的波长为2.6GHz频率波长的三倍以上。除天线共振尺寸变大,且天线隔离距离变小外,天线操作波长的大幅增加也使得多天线之间,会有更强烈的天线互耦效应,且往往会遇到低频耦合较高频耦合严重问题(<10dB,如图6)。当天线之间隔离不佳,就会导致天线的效率降低。因此,如何在手机有限空间内置入高隔离度的低频MIMO天线系统,以满足LTE频宽需求,将是未来天线设计所必须面对的一个重大挑战。

LTE MIMO天线耦合严重问题

图6 LTE MIMO天线耦合严重问题

一般MIMO天线相互耦合现象,主要是通过Surface Wave Coupling及Space Wave Coupling。

传统的解耦技术是采用多天线间的长距离摆置,达到降低天线耦合的效果,但由于使用面积过大,不适合应用于移动通讯设备上。目前台湾工研院已成功开发可调式天线隔离技术,并应用于LTE MIMO天线系统上,有效解决低频多天线彼此耦合的问题。该技术关键处在于:利用可变电容元件及分布式网路设计,以产生多模隔离模态,通过改变电容值大小来调整隔离中心频率,以增加低频隔离频宽(图7)。

 可调式天线解耦模组制作与实测结果

图7 可调式天线解耦模组制作与实测结果

RF MEMS数字可变电容潜力无穷

RF MEMS可变电容元件架构可参考WiSpry的作法(图8),包括上盖、电容板及驱动电路。该元件做法为利用静电力吸引电容板,造成电容板间距的减少,而增加元件的电容值。

RF MEMS可变电容元件的横切面

图8 RF MEMS可变电容元件的横切面

可变电容元件的形式可分为连续式、开关式及数字可变电容元件(图9)。连续式可变电容元件因动件可调距离只有三分之一电容板间距,因此最大电容比只能达到1.5:1,且电路信号控制较为困难,无法使用在需大电容比的可调模组。

可变电容元件的形式

图9 可变电容元件的形式

开关式可变电容元件是由多个阵列式独立电容元件所组成,借由整个元件的开关来决定电容值的大小,由于是以接点开关的方式调整电容值,其接点上会产生1~1.5欧姆的电阻,对于RF信号的损耗是非常严重的,造成可变电容元件Q值的降低,另外金属接点寿命短与仅能以并联形式来使用,都是开关式可变电容元件必须克服的问题。

数字可变电容元件是由多个阵列式独立电容元件所组成,其可变电容比可达10:1以上,且也无接点电阻与寿命的问题,因此数位式可变电容元件为目前较具潜力的方式。

可变电容三大考量因素

以下将说明可变电容重要的考量因素:电容比、品质因素(Quality Factor)及可靠性。

(1)电容比

数字可变电容元件系由多个阵列式独立电容元件所组成,当整个阵列元件在驱动的状态下,即为电容值最大的状态(Cmax);当整个阵列元件在未驱动的状态下,即为电容值最小的状态(Cmin),而电容比定义如公式1:

Cr= Cmax/ Cmin=gClose/gOpen……公式1。

影响电容比的因素,除电容板之间的间距大小外,电容板接触面翘曲问题,也为影响电容比的关键因素之一。因动件上有两层不同的材料,彼此的热膨胀系数不同会产生热应力,造成动件的翘曲而降低电容比。因此如何适当的选取薄膜的厚度、宽度与材质,以避免热应力的影响是格外重要的。

(2)品质因数

RF MEMS可变电容元件的品质因数如公式2所示,其中ω为自振频率、C为电容、R为等效串联电阻,由公式2可知降低R值,就可提升Q值,而R值与RF传输线的宽度、长度、材料及封装特性有关。

可变电容的品质因数公式

(3)可靠性

可靠性是目前各家厂商都极力解决的问题,也是影响RF MEMS可变电容元件的成败关键,该元件的可靠度有以下几个重点:其一为介电层充电(Dielectric Charging),当电容元件之介电层充电问题越严重时,所需的驱动电压就愈高,最终将造成无法驱动;再者,材料疲劳(Material Fatigue),主因系非晶硅材料,如非晶硅(a-Si)、氧化物(Oxide)与氮化物(Nitride)等,经长时间重复使用而造成元件材料的损耗;以及黏附(Stiction),如由两个电容板形成的粘黏,以致无法松开。

利用高阻值半导体材料 工研院开发高性能可变电容

一般而言,可变电容元件依动件使用的材料,可分为绝缘材料与金属材料两种,绝缘材料的缺点为必须额外增加电极板,以产生静电力,且直流(DC)输入信号还必须透过转换层与Via结构层来传输,如此一来,将造成制程上的复杂,且增加元件制作上的成本;使用金属材料的缺点为:RF与DC讯号彼此无导通,必须使用供应偏置电源(Bias-tee)元件隔离RF与DC信号,因此将造成电路设计上的复杂与困难性,成本也相对提高。

目前工研院已开发可变电容元件(图10),动件采用高阻值半导体材料,做为电极板的参考接地电位,其优点为之一是毋须额外增加电极板,简化结构的设计与制程上的困难性,可降低成本与提升良率;再者,RF与DC信号彼此无导通,毋须增加Bias-tee信号隔离元件,以简化电路设计与降低成本。此外,采用高阻值半导体材料之动件,由结果得知,该元件具有高电容比(12:1),且品质因数大于80@2GHz。

工研院可变电容元件

图10 工研院可变电容元件

掌握可变电容关键技术 台湾RF MEMS供应链渐具雏形

LTE MIMO天线技术是未来的趋势,预计2~3年内产品会实现。然而,要在有限空间内配置二至四组天线,且彼此之间不互相干扰,是近几年天线系统设计工程师极力突破的挑战。

目前台湾工研院率先开发可调式天线隔离技术,并成功应用于LTE MIMO天线系统上,有效解决低频多天线彼此耦合的问题。其中,RF MEMS关键零组件可变电容,仍然掌握在国外少数厂商(WiSpry及Cavendish等),导致天线整合设计无法满足客制化、微小化,因而丧失国际的竞争力。

有鉴于此,台湾工研院在RF MEMS元件技术深耕多年,可提供天线厂商元件设计、制程、封装与测试的全方位解决方案,并可结合现有天线可调解耦及天线调节技术,开发高品质因素可变电容元件,协助厂商提升技术及国际竞争力。

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