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CMOS与MEMS兼容的PZT压电薄膜制备工艺能力在国内首次达成!
2021-06-18 20:37:18   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

近日,国家智能传感器创新中心国内首台量产型8英寸PZT压电薄膜设备成功完成工艺调试,在国内首先达成CMOS与MEMS兼容PZT压电薄膜制备工艺能力,实现国内双首次。

据麦姆斯咨询报道,近日,国家智能传感器创新中心(简称“创新中心”)国内首台量产型8英寸PZT压电薄膜设备成功完成工艺调试,在国内首先达成CMOS与MEMS兼容PZT压电薄膜制备工艺能力,实现国内双首次。

PZT压电薄膜设备完成工艺调试

PZT压电薄膜设备完成工艺调试

该设备于2021年1月19日作为国内首台设备落户上海智能传感器产业园,打造基于压电材料的MEMS先进工艺平台。目前调试成功且取得突破的技术指标与国外同类设备水平相当:可实现8英寸晶圆上单晶体PZT薄膜的高质量生长,成膜温度低(<500℃)、成膜速率快(5um/h)、成膜均匀性好(<±1.8%)、压电系数高(|e31,f|14.C·m2±1.7%)、疲劳特性好(>1E10 cycles),可满足CMOS传感控制电路与MEMS兼容集成制造需求,是与国际主流传感器厂商保持同步的先进装备和工艺技术。

技术指标取得突破

技术指标取得突破

PZT薄膜压电MEMS技术是智能传感器领域的重要发展方向,是充满技术多样性和产业机会的蓝海领域。新型压电MEMS光学、声学、惯性、微流控等产品,在自动驾驶、消费电子、光通信、医疗康养、工业控制等AIoT领域具有广泛而重要的应用前景。国际上PZT压电MEMS技术和应用发展迅速,国内大晶圆(8英寸)PZT压电薄膜制备的可用资源稀缺,创新中心导入8英寸量产型CMOS兼容PZT压电薄膜机台,并快速完成PZT薄膜工艺调试,是对国内压电MEMS开发条件的重大改善。创新中心持续开发相关特色技术模块,将与产业链上下游共同打造基于压电薄膜材料的MEMS新器件开发、新原理探索、新应用验证的技术平台,为国内外相关技术和产品开发提供平台支撑服务,也将为无铅压电材料的薄膜化及在MEMS方向的应用探索和技术开发提供平台支持。

国家智能传感器创新中心致力于先进传感器技术创新,以关键共性技术的研发和中试为目标,联合传感器上下游及产业链龙头企业开展共性技术研发,形成“产学 研 用”协同创新机制,打造世界级智能传感器创新中心。依托中国传感器与物联网产业联盟已有近1000家产业链各领域的代表企业,发挥产学研资源优势,加速我国物联网核心技术的发展,推动智能传感、大数据、人工智能的生态体系建设。

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