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长光华芯完成B轮1.5亿融资,加强VCSEL激光雷达芯片研发及量产
2018-08-01 19:13:50   来源:微迷   评论:0   点击:

据麦姆斯咨询报道,2018年7月,长光华芯顺利完成B轮融资,本轮融资的投资方为:国投创业、中科院创投、苏州橙芯创投。本轮融资将主要用于(1)高功率半导体激光芯片和模块产能提升5~10倍;(2)VCSEL激光雷达芯片研发及量产;(3)直接半导体激光器量产及应用。

麦姆斯咨询报道,2018年7月,长光华芯顺利完成1.5亿元B轮融资,本轮融资的投资方为:国投创业、中科院创投、苏州橙芯创投。

长光华芯自2012年成立以来一直致力于高功率半导体激光器芯片及相关光电器件和应用系统的研发生产和销售,拥有从芯片设计、MOCVD(外延)、光刻、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合、激光系统等完整的工艺平台和量产线,是全球少数几家、国内唯一一家研发和量产高功率半导体激光器芯片的公司,长光华芯在高功率半导体激光器芯片方面率先打破长期依赖进口“有器无芯”的局面。

本轮融资将主要围绕长光华芯主营业务战略建设如下项目:
- 高功率半导体激光芯片和模块产能提升5-10倍;
- VCSEL激光雷达芯片研发及量产;
- 直接半导体激光器量产及应用。

加之2018年3月公司与高新区签署协议共建半导体激光创新研究院,建设领先的半导体激光研发平台,至本轮融资顺利完成,长光华芯的“一平台,一支点,横向扩展,纵向延伸”战略布局全部完成。

高功率半导体激光芯片和模块产能扩充项目

长光华芯已攻克包含外延生长技术、腔面钝化技术、器件制作和高能合束耦合等方面的多个技术难题,公司高亮度单管芯片和光纤耦合输出模块、高功率巴条和叠阵等产品,在功率、亮度、光电转换效率、寿命等方面屡次突破,获多项专利,与国际一流水平同步。

长光华芯激光芯片

长光华芯激光芯片

长光华芯自主研发的高功率915nm激光芯片,发光区宽度为90μm,转换效率高达65%,芯片输出功率等指标与国际一流水平同步,具有转换效率高,长寿命等特点,现已累计销售芯片超过200万片,是全球少数几家研发和量产高功率半导体激光器芯片的公司。

长光华芯光纤耦合模块

长光华芯光纤耦合模块

长光华芯915nm模块和976nm模块采用自主研发的高可靠性激光芯片,具有光谱质量好,波长随温度漂移范围可控的特点,其中976nm模块光纤激光器光光转换效率可达85%,大幅节省有源光纤,方案经过批量验证,应用于高功率光纤激光器已无技术障碍,是高功率光纤激光器理想泵浦源。

目前长光华芯产品广泛应用于:工业激光器泵浦、激光先进制造装备、生物医学美容、高速光通信、机器视觉与传感、国防建设等。产品经多年经营已获得客户认可,915nm芯片、915nm模块、976nm模块等更是引领了市场方向,随着产品在市场上得到越来越多的认可和肯定,长光华芯客户需求和订单持续处于急速上升趋势,通过本轮融资,长光华芯将对高功率激光芯片及光纤耦合模块进行产能扩充,将产能在现有基础上提升5~10倍,形成长光华芯发展的一个强有力的“支点”,以满足客户需求。

VCSEL激光雷达芯片研发和量产项目

媒体在长光华芯展台介绍VCSEL芯片

媒体在长光华芯展台介绍VCSEL芯片

2018年2月,长光华芯成立了VCSEL事业部,“横向扩展”,先后引进多位行业资深专家,组建专业研发团队,开设6’晶圆生产线,增加MOCVD晶圆生长炉、步进光刻机等量产设备,加紧研发项目和量产产线布局,以应对消费和工业市场呈爆发式增长的需求,缓解我国VCSEL激光器芯片的紧缺问题。基于公司成熟的高功率半导体激光器芯片量产平台,公司在开展VCSEL芯片的研发工作时进展迅速,在短短不到6个月的时间里就已经攻克了材料外延生产的精确控制、稳定性难题以及激光电流的氧化限制控制难题。目前长光华芯的VCSEL芯片已通过小批量试产,进入送样和客户验证阶段。

直接半导体激光器量产及应用项目

激光系统事业部系列产品

激光系统事业部系列产品

长光华芯是国内最早立项,并量产和销售直接半导体激光系统的公司之一,自2012年以来,长光华芯通过承担国家项目和多家工业客户的验证,已经打造了直接半导体激光系统品牌,2018年5月,公司专项成立了激光系统事业部,“纵向延伸”,事业部的成立旨在为工业激光材料加工领域提供具有技术优势、高性价比的产品解决方案,推进国内直接半导体激光器工业应用进程。今年10月,长光华芯将携新一代直接半导体激光器系列产品亮相深圳“华南国际先进电子、智能制造及激光技术博览会”。

长光华芯与苏州高新区共建半导体激光创新研究院

半导体激光创新研究院签约仪式

半导体激光创新研究院签约仪式

2018年3月,苏州高新区政府与长光华芯在上海签署协议,宣布双方在苏州高新区共建半导体激光创新研究院,总投资5亿元,建设国内一流的半导体激光芯片研发平台,充分利用长光华芯已有的高功率半导体激光芯片优势,并拓展激光3D传感芯片(含VCSEL)、高速光通信芯片、激光照明、激光显示等方向和领域。

半导体激光创新研究院效果图

半导体激光创新研究院效果图

半导体激光创新研究院包含研发大楼、办公大楼、生产工艺大楼等设施,总占地面积将近五万平方米,目前研究院已动工建设,预计将在2019年投入使用。研究院的建设,将大大提升公司的研发能力和可持续发展能力,同时也为公司在高速发展时期扩产等需求提供了更大的物理空间。

延伸阅读:

《VCSEL技术、产业和市场趋势》

《3D成像和传感-2018版》

《苹果iPhone X的ToF接近传感器和泛光照明器》

《苹果iPhone X红外点阵投影器》

《苹果iPhone X近红外3D摄像头传感器》

《英特尔RealSense主动红外立体深度摄像头:D435》

《英特尔RealSense 3D摄像头与意法半导体红外激光发射器》

《汽车和工业应用的激光雷达-2018版》

《汽车激光雷达专利全景分析-2018版》

《自动驾驶汽车传感器-2018版》

《汽车MEMS和传感器市场及技术趋势-2017版》

《大陆集团最先进的ADAS激光雷达:SRL1》

《LeddarTech固态激光雷达(LiDAR)模组:LeddarVu》

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