欧司朗红外LED阵营添“新丁”，新款IR LED光学表现如何？
2017-03-26 15:09:48 来源：麦姆斯咨询 评论：0 点击：
德国LED芯片大厂欧司朗光电半导体积极跨足红外LED（IR LED），近日又在高功率红外LED产品线中，新增SFH 4703AS红外发射器，发射的光线波长为810纳米。新款红外LED增强图像对比，可提升监控与图像感测系统的性能，例如应用在车牌识别上，不管白天夜晚，识别度都很高。
据麦姆斯咨询报道，德国LED芯片大厂欧司朗光电半导体积极跨足红外LED（IR LED），近日又在高功率红外LED产品线中，新增SFH 4703AS红外发射器，发射的光线波长为810纳米。新款红外LED增强图像对比，可提升监控与图像感测系统的性能，例如应用在车牌识别上，不管白天夜晚，识别度都很高。此外，由于图像传感器更灵敏，与搭配波长850纳米红外LED的照相机相比，在LED的流明输出不变下，能见范围更大。
高图像对比利于分析
一般使用850纳米和940纳米红外LED的照相机或摄影机，通常在识别某些颜色时，无法产生高对比的图像。而欧司朗此次推出的SFH 4703AS红外LED改善了这个缺点，因此特别适用在需要绝佳图像对比的应用设备，像是装设在收费站或停车场入口的自动车牌识别系统。由于此红外LED增强图像对比，让系统在识别车牌时更快速精准，减少驾驶等待时间。另外，这种产品也能应用在交通监测系统和闭路电视监视系统CCTV 等。
相同光学输出视距更大
新型红外LED的另一个优点是光谱敏感度高。在使用相同流明输出的光源时，810纳米红外LED的测距远胜过传统850纳米或940纳米的传感器。如果欲维持测距不变，新款红外LED在设计上能减少元件数量。但必须注意的一点是，一般人眼看到的红外线是温和的红色光源，而810纳米的红外光比850纳米的能量更强。
新款IR LED光学表现如何呢？
欧司朗已推出供移动设备虹膜传感器使用的810纳米红外LED。这次推出的SFH 4703AS采用纳米堆栈技术的高效率芯片，堆栈在Oslon照明封装产品上。在一安培电流时，此发射器可产生一瓦的光功率；正负45度发射角度提供更宽广的照明范围，在一安培电流时，辐射强度为每球面630毫瓦（mW／sr）。产品尺寸为3.85 x 3.85毫米，含透镜的高度为2.29毫米。
加入这款新品后，欧司朗目前有三种可兼容、波长不同的红外LED。这些产品可以组合用在单一照明装置中，或是用来改变现有系统的光谱范围，但不需重新设计规格（pin to pin）。
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