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提升SPAD集成度和性能,X-FAB为180nm XH018工艺平台新增隔离等级
2025-08-14 14:29:24   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

X-FAB的SPAD器件解决方案已广泛应用于需要直接飞行时间(dToF)测距的各类场景,例如智能手机、无人机和投影仪。X-FAB这项新技术的进步将直接惠及这些需要紧凑尺寸、高分辨率dToF传感的应用。

新的隔离等级模块助力SPAD设计更紧凑,从而减小芯片尺寸。

据麦姆斯咨询报道,近期,领先的模拟/混合信号及特种芯片代工厂X-FAB在其 180nm XH018半导体工艺平台中增加了一种新的隔离等级,旨在支持更紧凑、更高效的单光子雪崩二极管(SPAD)开发,可以实现更紧密的功能集成、更高的像素密度和更高的填充因子,从而减小芯片面积。

SPAD是众多新兴应用的关键组件,包括自动驾驶汽车的激光雷达(LiDAR)、3D成像、增强现实(AR)/虚拟现实(VR)系统中的深度感知、量子通信和生物医学传感。X-FAB已提供基于其180nm XH018工艺平台的多种SPAD器件解决方案,其有效面积范围从10µm到20µm。其中包括一款针对近红外优化的SPAD器件解决方案,旨在提高光子探测概率(PDP)性能。

为了实现高分辨率SPAD阵列,紧凑的像素间距和更高的填充因子至关重要。全新发布的ISOMOS1模块是一款25V隔离等级模块,可显著简化晶体管隔离结构,无需额外的掩模层,并与X-FAB的其它SPAD器件工艺完美匹配。

在比较SPAD像素设计布局时,这种增强的优势显而易见。在一个典型的4 x 3像素SPAD阵列中,其光学面积为10µm x 10µm,采用新的隔离等级之后,与之前的隔离等级相比,总面积可减少约25%,填充因子可提高约30%。通过精心优化的像素设计,可以进一步提高面积效率和探测灵敏度。

4 x 3像素SPAD阵列设计示例:采用全新紧凑型25V隔离等级模块ISOMOS1(右) vs. 采用之前的模块(左)

4 x 3像素SPAD阵列设计示例:采用全新紧凑型25V隔离等级模块ISOMOS1(右) vs. 采用之前的模块(左)

X-FAB的SPAD器件解决方案已广泛应用于需要直接飞行时间(dToF)测距的各类场景,例如智能手机、无人机和投影仪。X-FAB这项新技术的进步将直接惠及这些需要紧凑尺寸、高分辨率dToF传感的应用。SPAD可在多种场景下实现精确的深度感测,包括工业距离测量和机器人感知,例如在协作机器人作业区域建立防护,避免碰撞。

除了提升SPAD性能和集成度,新的隔离等级还为更广泛的基于SPAD的系统打开了应用空间,特别是那些在紧凑空间内需要实现低噪声、高速单光子探测的场合。

X-FAB光电技术市场经理Heming Wei表示:“180nm XH018工艺平台引入新的隔离等级,标志着SPAD集成向前迈出了重要一步。它能够实现更紧凑的布局和更佳的性能,同时允许使用我们成熟可靠的180nm平台开发更先进的3D传感系统。”

全新ISOMOS1模块和工艺设计套件(PDK)现已正式推出,可用于支持下一代SPAD阵列的高效评估与开发。

延伸阅读:

《单光子雪崩二极管(SPAD)专利态势分析-2023版》

《量子点光电传感器专利态势分析-2024版》

《新兴图像传感器技术及市场-2024版》

《苹果在量子点光电传感器领域的发明专利与产业布局分析》

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《光谱成像市场和趋势-2022版》

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