英飞凌Bulk-CMOS射频开关产量突破50亿颗里程碑
2018-07-27 08:44:25 来源：麦姆斯咨询 评论：0 点击：
在5G时代来临前夕，英飞凌精心设计的产品组合和产品，受到了全球无线市场创新者前所未有的追捧。据麦姆斯咨询报道，到目前为止，英飞凌的年出货量已远超10亿颗，累积已向其忠实客户提供了50亿颗的Bulk-CMOS射频开关。
Infineon Technologies（英飞凌）通过创新和先进的制造工艺，实现了最高质量标准、业界领先的半导体元件，并在2008年开始规模量产其首款Bulk-CMOS射频（RF）开关。然后，在5G时代来临前夕，英飞凌精心设计的产品组合和产品，受到了全球无线市场创新者前所未有的追捧。据麦姆斯咨询报道，到目前为止，英飞凌的年出货量已远超10亿颗，累积已向其忠实客户提供了50亿颗的Bulk-CMOS射频开关。
“英飞凌凭借在半导体制造领域久经市场验证的专业和积累，逐渐成为所有原始设备和设计制造商以及芯片分销商的理想合作伙伴，”英飞凌射频系统业务部副总裁兼总经理Philipp von Schierstaedt评价说，“市场广泛的接受度和认可，突显了英飞凌对射频前端系统的理解、技术优势、卓越的产品质量以及融入英飞凌产品战略的供应保证。”
Bulk-CMOS工艺提供了多种产品集成优势。自1960年代引入“固态”技术以来，射频开关设计主要可归为两种类型：机电（MEMS）开关和固态开关。MEMS开关的低切换速度、弱可重复性和可靠性，使其无法成为5G应用的理想选择。
与此同时，科学的进步也为固态射频技术提供了多种技术选择。与砷化镓和氮化镓相比，基于Bulk-CMOS的晶体管-晶体管逻辑器件（transistor-to-transistor logic, TTL）表现出了最佳的集成能力。最终帮助实现PCB板上空间受限的设计。与其他替代方案不同，Bulk-CMOS不需要额外的氧化层，也不需要不同的材料作为晶圆加工的一部分，这意味着直接的经济效益。
5G通信的到来，除了大大加速整个行业的发展步伐，还为OEM和OMD手中的一系列技术提出了挑战和机遇。英飞凌将开发更多能够促进射频设计厂商宏伟蓝图的产品。
供货情况
英飞凌下一代Bulk-CMOS射频开关——新款天线交换器件BGSX22G5A10和BGSX33MA16已开始提供样品，再一次验证了其产业领先的电气性能。这两款产品预计将于2018年夏季末规模量产，并将保证射频开关的持续供货。
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