《iPhone X中高频LTE射频前端模块:博通AFEM-8072》
2018-03-01 12:40:19   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

据麦姆斯咨询报道,博通(Broadcom)开发的中高频LTE射频前端模块AFEM-8072目前应用于iPhone X三个版本中的两个:日本版和SIM-free版。AFEM-8072还采用了先进的电磁干扰(EMI)屏蔽技术,使得射频前端模块可在同一个封装内进行频段共享。

Broadcom AFEM-8072 - Mid and High Band LTE RF Front-End Module (FEM)

——逆向分析报告

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苹果iPhone X中高频LTE射频前端模块(FEM)采用了最新一代FBAR技术和创新的先进封装

苹果iPhone X中高频LTE射频前端模块(FEM)采用了最新一代FBAR技术和创新的先进封装

iPhone X中高频LTE射频前端模块:博通AFEM-8072

iPhone X中高频LTE射频前端模块:博通AFEM-8072

在很多科技应用领域,苹果(Apple)公司都领先于竞争对手,最明显的便是成像和显示领域,然而如今其在射频(RF)方面也采用了创新的技术——博通(Broadcom,此前为Avago Technologies)最新且最先进的滤波器和系统级(SiP)封装。据麦姆斯咨询报道,博通(Broadcom)开发的中高频LTE射频前端模块AFEM-8072目前应用于iPhone X三个版本中的两个:日本版和SIM-free版。AFEM-8072还采用了先进的电磁干扰(EMI)屏蔽技术,使得射频前端模块可在同一个封装内进行频段共享。

博通(Broadcom)射频前端模块AFEM-8072封装信息

博通(Broadcom)射频前端模块AFEM-8072封装信息

博通(Broadcom)射频前端模块AFEM-8072位于SIM卡插槽下方的主印刷电路板(PCB)基板上,其配置取决于收发器芯片组。AFEM-8072在iPhone X日本版和SIM-free版中的代号分别为A1865和A1902。在iPhone X欧洲版中,射频前端采用两个独立的模块,多家供应商为:博通(Broadcom)、Qorvo、Skyworks和TDK-Epcos。

AFEM-8072的先进RF SiP达到了前所未有的集成水平:包含滤波器(18个)、功率放大器、SOI开关等在内的近30颗芯片。滤波器采用Avago的Microcap键合晶圆(bonded-wafer)芯片级封装(CSP)技术和硅通孔(TSV),其中的压电材料为钪掺杂氮化铝(AlScN)。对于这款用于iPhone X的特殊版本,博通(Broadcom)集成了两个先进功能:(1)射频集成电路(RF IC):具有多个用于天线匹配的集成无源器件(IPD);(2)射频前端模块内部的EMI屏蔽:减少芯片之间的干扰。此外,博通(Broadcom)选择了索尼(Sony)的低功率SOI开关。

博通(Broadcom)射频前端模块AFEM-8072拆解分析

博通(Broadcom)射频前端模块AFEM-8072拆解分析

受益于上述各种创新技术,博通(Broadcom)能够提供具有成本效益的射频前端模块,并减少互连。

本报告详细分析了博通(Broadcom)射频前端模块AFEM-8072,包括滤波器、射频IC、IPD,以及封装和EMI屏蔽。此外,还对其进行成本和价格预估。最后,本报告将AFEM-8072与iPhone X欧洲版中的射频前端模块A1901进行对比分析。

报告目录:

Overview / Introduction

Broadcom Company Profile

Apple iPhone X – Teardown

Market Analysis

Physical Analysis
- Physical Analysis Methodology
- Package
* View and dimensions
* Package opening: Power amplifier, switch, RF IC, filters
* Package cross-section: Overview, dimensions, substrate, internal and external shielding
- Package Physical Data Summary
- Power Amplifier, Switch Die
* View, dimensions, and markings
* Die overview and cross-section
- Matching RFIC Die
* View, dimensions, and markings
* Die overview and delayering
* Die process and cross-section
- Filter Dies
* View, dimensions, opening and markings
* Die overview: Cap, substrate, cells
* Die cross-section: Sealing frame, anchor, TSV, holes, FBAR structure
- Filter Physical Data Summary

Physical Comparison: Broadcom Separate Solution
- Package View and Dimensions
- Filter Dies

Manufacturing Process Flow
- Dies Process
- Filter Wafer Fabrication Unit
- Filter Process Flow
- Packaging Process Flow

Cost Analysis
- Cost Analysis Overview
- Main Steps Used in the Economic Analysis
- Yield Hypotheses
- Filter Die Cost
* Front-end (FE) cost
* Filter wafer front-end cost per process step
* Wafer and die cost
- Matching RFIC Die Cost
* Front-end (FE) cost
* Wafer and die cost
- Packaging Cost
- Module Cost

Estimated Price Analysis

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