在CMOS中建构MEMS:Nanusens雄心勃勃的创新梦!
2019-09-11 11:17:20   来源:EE Times   评论:0   点击:

总部位于伦敦和巴赛隆纳的欧洲创新MEMS公司Nanusens有一个雄心勃勃的技术目标:打造可靠且便宜,可与ASIC建构在同一裸芯片上的MEMS器件,节省的空间将足以改变消费类电子产品的游戏规则!

作者:Sally Ward-Foxton(EE Times Europe)

总部位于伦敦和巴赛隆纳的欧洲创新MEMS公司Nanusens有一个雄心勃勃的技术目标:打造可靠且便宜,可与ASIC建构在同一裸芯片上的MEMS器件,节省的空间将足以改变消费类电子产品的游戏规则!

在CMOS中建构MEMS可能吗?大部分人认为不可能,因为CMOS并不是为机械结构设计开发,它的特性至少比现有MEMS传感器结构小一个数量级,而且金属层非常薄。简单粗暴地缩小现有MEMS设计并不能解决这个问题,例如经典的、弹簧上的梳齿形状质量块(proof mass)。

Nanusens首席执行官(CEO)Josep Montanya说道:“(机械结构上的)高应力梯度意味着,一旦通过蚀刻释放金属,硅氧化物会大量卷曲,所以机械结构不是平整的!”

内建于CMOS工艺后端的MEMS器件横截面图

内建于CMOS工艺后端的MEMS器件横截面图

“用这些卷曲的金属制造有用的元件是一个巨大的挑战,因为除此之外,缝隙非常小,金属层非常薄。这对MEMS惯性传感器来说是另一个挑战,因为通常需要一个大的质量块,而薄层材料很难做到这一点。”

在传统的MEMS工艺中,硅可能有40微米厚,但在0.18微米制造工艺中,典型的CMOS层厚度小于1微米。可以利用多层CMOS材料来制造尽可能大的质量块,但是在CMOS规格下刻蚀一个典型的质量块形状,会导致结构高度扭曲。由于高应力梯度,曲率半径很小。在大范本上,这意味着曲率很大。它们的大小也是有限度的,超过一个临界点,结构就会崩塌。

“一方面,(薄层)是一个挑战,因为你无法用此打造一个大的质量块,”Montanya说。“但另一方面,这也是一个好处,因为它可以让你打造非常柔软的弹簧。它缝隙非常小,且由于曲率很大,所以可视为一个挑战,因此设计可能崩塌。但只要正确设计,它就会带来好处,因为它能让你检测出小幅度的移动。如果缝隙更小,就能感测到更小的绝对位移。”

然后就是寄生电容。典型的MEMS设计有两个裸芯片,在ASIC裸芯片和MEMS裸芯片之间有引线键合。这样会产生高达10皮法(pF)的寄生电容。将ASIC和MEMS集成在同一个裸芯片上,可以将寄生电容降低到100飞法(fF)左右(比典型的MEMS设计小2个数量级)。一些最新的MEMS器件也使用晶圆键合技术,通过将MEMS和ASIC更紧密地结合在一起来减少寄生电容,但Montanya认为,Nanusens的MEMS器件相对来说仍更具有优势。

Montanya表示:“(竞争对手的寄生电容)比我们的要大一个数量级以上,因为我们的设计不需要跑到裸芯片外面,即使它键合在顶部。在同一个芯片上工作是大幅降低寄生电容的唯一方法。”

知识产权(IP)

虽然Nanusens申请了多项知识产权(IP),但这种MEMS结构的设计仍然是个秘密。Montanya暗示这种结构与现有的MEMS器件非常不同。“在传统的MEMS制造中,通常有三层。但是在CMOS中,有六个金属层…因而我们有更多的设计选项,去做一些奇怪的事。”Montanya说。

CMOS工艺也为Nanusens提供了几种参考材料:铝、通孔用钨和硅氧化物,这使得一些新颖的设计概念成为可能。Nanusens表示,CMOS MEMS器件还可以减少静摩擦力——当大多数MEMS加速度计受到极端外力时,这种静摩擦力会阻止其工作。当质量块接触到被限制空间的边缘时,静摩擦力就会发生。分子力把它粘黏起来,这种作用是不可逆的,静摩擦力取决于质量块的表面积和撞击能量。

Montanya称:“传统的MEMS加速度计具有非常大的质量块,以及1~2微米的间隙。由于我们的质量块很小,间隙只有0.3微米,所以积累的能量较少,撞击能量也较少,分离所需的力量也更小。”到目前为止测试的Nanusens的MEMS加速度计样品已经显示出良好的对抗静摩擦力效果,它们经受了超过10000个开关来回的考验,每一次都相当于1000g值。Nanusens称,该测试样品的灵敏度也比大多数应用所需的高出一个数量级。

市场问题

Nanusens最早计划将其创新技术应用于智能手机,但在过去的六个月里,他们将目标改为无线耳机,因为他们认为该市场规模将扩张、增长更快。

入耳式无线耳机包含电池、扬声器、MEMS麦克风和其它传感器(如加速度计、骨传导传感器、光学传感器)。其中,加速度计具有两个功能:可以检测耳机何时停用,并关闭耳机以节省电力;还可以作为用户界面实现点击和按两下动作。Nanusens预计在今年11月推出加速度计样品。

无线耳机中骨传导传感器的作用在于:它能检测到我们说话时的耳骨振动。骨传导传感器检测这种振动,并融合来自MEMS麦克风采集的信息,进而协助抑制环境杂讯,Nanusens也正在研发这种惯性传感器。

“我们可以把两种惯性传感器都做得更小,”Montanya说。“现如今,每个芯片是4立方毫米。我们可以把这两个惯性传感器组合成一个约1立方毫米的芯片。这样可以节省超过6立方毫米的空间,而且由于PCB面积的减少,实际上可以节省更多的空间。”他补充说,在小小的无线耳机里,每立方毫米都有价值:节省下来的空间可以用于搭载更大的电池,更多的功能,更多的存储器,或者只是让耳机变得更小更轻。

图中红色高亮显示部分为Nanusens的MEMS传感器芯片布局

图中红色高亮显示部分为Nanusens的MEMS传感器芯片布局,两个传感器占据大约10%的芯片面积,每个结构的尺寸为100微米 x 150微米

未来的智能手机将更多配备无线耳机,因此耳机市场将加速成长。“尽管这是一个巨大的市场,并且中国涌现出许多制造这些无线耳机的公司,但它们都使用参考设计(reference design)。”Montanya说。“目前只有5家公司提供这些参考设计,我们正与这些公司洽谈。他们喜欢减小传感器尺寸,并且等待我们MEMS产品融入他们的设计之中。一旦我们打进这些耳机参考设计,销量将是巨大的。”

将ASIC和MEMS的IP整合到SoC之中是下一个逻辑步骤,Nanusens已经与MCU制造商进行讨论,因为在MCU中嵌入一个运动传感器可以增加芯片级别的唤醒和休眠功能。Montanya表示:“需要花一些时间才能看到这种整合如何完成,因为我们必须转到更低的工艺节点——这会很有意思,但我们还没有走到这一步。首先我们要将产品推向市场,一旦产品得到实地验证,那么整合就会到来。”

Nanusens首席执行官(CEO)Josep Montanya

Nanusens首席执行官(CEO)Josep Montanya

尽管Nanusens打算最终将其技术延伸至更低的工艺节点,但这项技术并不会像数字电路那样明显地带来尺寸缩小。在较低的工艺节点上建立一个所需大小的质量块比较困难,但却很有意思,例如将铜线切换至0.13微米节点,因铜的密度比铝高,且它的导电性能也更好。

未来的产品还将包括温度传感器、湿度传感器、压力传感器,以及磁力计和MEMS麦克风的设计。Nanusens追求的另一条产品路线是天线调谐器的电容式射频(RF)开关。Montanya表示:“我们预计(RF MEMS)在长远看来会发挥更大作用,好消息是我们正朝着这个方向努力。在世界移动通讯大会(MWC)期间,我们展示的一个产品,已引起大家的兴趣。”

成本问题

是否所有这些设计都要比传统的MEMS花费更高的成本?Montanya将成本分为四部分:ASIC芯片、MEMS芯片、封装、测试和校准,其中Nanusens的方案在ASIC芯片、测试和校准成本与传统MEMS相同。但是,Nanusens将MEMS芯片和ASIC芯片整合能够节约成本。总体来说,Nanusens生产的MEMS传感器本来就更便宜,对于组合传感器来说,其成本优势变得更加明显。

“单个传感器的成本优势为30%。”Montanya说。“如果我们整合更多传感器,可能会更多…在同一个芯片中添加另一个传感器可能会使CMOS面积增加10~20%,可能需要一个新的模拟前端,但数字部分可以共用。与竞争对手添加新传感器时需要更多的裸芯片、更多的引线键合等相比,整合传感器的成本优势非常大。”

公司发展蓝图

通往目标的道路并不总是平坦。Montanya之前的公司Baolab Microsystems,在2005年开始为CMOS工艺后端设计MEMS结构。2012年,该公司即将推出其首款CMOS MEMS传感器——“电子罗盘(ecompass)”之际,一位主要投资者坚持要求在Baolab进入市场之前将其以高价出售。据Montanya称,这名投资者还拒绝了美国知名公司的投资提议;2014年,由于找不到买家,Baolab最终关门大吉。同年稍晚,Montanya成立了Nanusens,并在2016年获得了种子基金。

“Nanusens的三位创始人均来自Baolab Microsystems,”Montanya表示,但该公司“花了两年时间开展新设计,因为2012年的设计在2016年没有意义…性能要求发生了变化。”2018年,该公司准备发布惯性传感器之时,又由于其代工厂GlobalFoundries停产,再次遭遇挫折,且GlobalFoundries最终出售了MEMS晶圆厂,并完全放弃了MEMS业务。

但Nanusens并没有退缩,而是重新设计了自己的MEMS芯片。由于采用了超低漏电(ULL)工艺,ASIC和MEMS设计都需要调整——这种0.18微米的CMOS工艺已经不能与产业相兼容。最新的设计与标准CMOS工艺相兼容,生产则已转移到中芯国际,而台积电(TSMC)为第二选择。

内建在0.18微米CMOS中的2D惯性传感器

内建在0.18微米CMOS中的2D惯性传感器

这些主流IC代工厂可以提供批量生产能力,满足快速增长的无线耳机市场。相比之下,传统MEMS器件供应链需要专业的MEMS代工厂,因而无法快速扩张并满足当前智能手机的市场需求。

随着令人沮丧的商业问题最终得到解决,Nanusens可以继续推进已经开发了14年的颠覆性MEMS创新技术。据悉,Nanusens用于无线耳机的运动检测的加速度计样品将在今年第四季提供。

Nanusens目前正在寻找中国战略投资机构,为接下来的批量生产及进入中国市场做好准备工作。如果您对Nanusens感兴趣,请联系Nanusens融资合作伙伴——麦姆斯咨询,邮件:WANGYi@MEMSConsulting.com,电话:0510-83481111。

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