基于多电极结构的石墨烯热电太赫兹探测器研究取得重要进展
2018-08-07 09:11:05   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

石墨烯太赫兹探测器受限于材料的低开关比和弱饱和特性,难以在太赫兹波段获得较高的器件响应。基于热电子原理的石墨烯器件具有较宽波段的吸收能力,有望突破基于传统混频原理对器件制备工艺的严格要求,有利于大面积的器件集成。

石墨烯太赫兹探测器受限于材料的低开关比和弱饱和特性,难以在太赫兹波段获得较高的器件响应。基于热电子原理的石墨烯器件具有较宽波段的吸收能力,有望突破基于传统混频原理对器件制备工艺的严格要求,有利于大面积的器件集成。

四端电阻结构器件及其偏压场诱导极性反演光电流增强现象

四端电阻结构器件及其偏压场诱导极性反演光电流增强现象

在国家重点研发计划项目支持下,中国科学院上海技术物理研究所、红外物理国家重点实验室陆卫、陈效双、王林、陈刚及合作者们避开了传统器件的设计思路,采用四端电阻结构实现对不同器件的电极互连(如上图所示),研究发现了通过电极之间的互连产生类似于三极管的器件开关性能。同时,研究人员通过电极之间的偏压效应产生石墨烯沟道的非对称光电流,在偏压作用下器件光电流呈现出线性上升的趋势,产生光电流增益,对应器件响应出现数量级的提高。

此外,研究表明石墨烯和金属接触位置的局域场可以驱动非平衡载流子,诱导石墨烯沟道载流子分布的变化,在偏压场作用下器件产生光电导效应,器件响应可以达到280V/W,为当前国际报道的最高值。该项研究工作将为实现便携式成像系统、人体医学太赫兹表征设备的核心器件提供崭新的途径,该项研究工作于2018年4月18日发表在NPG Asia Materials杂志上。

延伸阅读:

《太赫兹及红外光谱学市场-2017版》

《太赫兹技术市场-2016版》

《非制冷红外成像技术与市场趋势-2017版》

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