意法半导体2017年计划支出11亿美元,升级12英寸产线
2017-05-26 20:36:12 来源:麦姆斯咨询 评论:0 点击:
据麦姆斯咨询消息,STMicroelectronics(意法半导体)在其分析师日期间,宣布公司计划在2017年的资本支出约为10~11亿美元。不过,其资本支出的详细计划并未披露。ST首席执行官Carlo Bozotti还表示,公司位于Crolles的8英寸晶圆制造厂(Fab)将有可能升级至12英寸晶圆工艺。
ST首席财务官Carlo Ferro称,ST的资本支出从2016年的6亿美元增长至2017年的最高11亿美元,是为了支持对2017年下半年及未来预期的更高的需求而做出的决定。不过,Bozotti和Ferro都强调,ST的资本支出与营收比,将在未来的多年经济周期中保持平均10%以下。
ST在2017年初,作为2016年第四季度财报的一部分宣布了其2017年的资本支出,并称“在2017年的下半年有一个重要产品需要放量支持”。业界许多观察家据此认为ST获得了苹果2017年9月或10月将要发布的新款iPhone的订单。
ST是目前市场上能够将3D传感技术应用至其它设备(包括苹果iPhone)的少数几家厂商之一。业界基本断定ST将为苹果iPhone 8定制3D光学传感器。而据供应链透露,这颗传感器性能会非常强大,不过在量产期间却遇到了点麻烦,ST需要更多时间去备货。因而,有可能会影响iPhone 8的正常上市计划。
ST强调,其多款产品助涨了2017年下半年的强劲营收增长预期,以及资本支出的增长需求。Ferro称,ST的资本支出增长计划,是因为其产品优势正在扩大,并且越来越多的产品系列的市场表现正在走强。
在分析师日的问答环节,Bozotti被问及ST的下一座12英寸Fab计划。Bozotti将在2018年6月卸任CEO一职,但他并没有搁置这一想法。Bozotti称:“目前的首要目标是将Crolles的Fab产能提升至5000片晶圆/周。在Crolles,我们确实有机会进行下一步动作。从长远来看,像ST这样的公司是需要一座更大的12英寸Fab。我们已经有了8英寸Fab,smartpower可以上马12英寸产线。”
“我们拥有大量的未来将制造的专有技术:嵌入式闪存、图像传感器、射频(RF)应用的具有相变存储的FDSOI、功率碳化硅、BCD(BIPOLAR-CMOS-DMOS) Smartpower以及MEMS传感器和执行器等。不过,我们不会向下涉及14nm工艺,”Bozotti说道。
“长远来看,我们可以通过扩张和转换来拥有12英寸BCD产线。那不需要花费十亿美元。这将会是技术演进的一部分。嵌入闪存的BCD也是一样,”不过,Bozotti还说道,“ST正在开始将其BCD工艺外包给代工厂。保持平衡很重要,汽车产品线我们不会选择外包。”
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