Imec与CST Global成功集成InP光源,加速硅光子低成本商业应用
2020-03-07 13:35:03   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

据麦姆斯咨询报道,全球纳米电子和数字技术研究与创新中心Imec,近日宣布与英国III-V族化合物半导体光电产品设计和制造商CST Global合作,已成功将CST Global InP100平台的磷化铟(InP)分布式反馈(DFB)激光器集成到Imec的硅光子平台(iSiPP)中。

据麦姆斯咨询报道,全球纳米电子和数字技术研究与创新中心Imec,近日宣布与英国III-V族化合物半导体光电产品设计和制造商CST Global合作,已成功将CST Global InP100平台的磷化铟(InP)分布式反馈(DFB)激光器集成到Imec的硅光子平台(iSiPP)中。在2020年,Imec将对该技术做进一步优化和可靠性验证,预计在2021年上半年,具有InP DFB激光器和反射型半导体光放大器(RSOA)混合集成的接口将成为Imec硅光子平台原型设计服务的一部分。此次Imec与CST Global的合作,有望将硅光子技术加速扩展到成本敏感的应用领域,包括光学互连、传感、计算等。

Imec与CST Global成功集成InP光源,加速硅光子低成本商业应用

硅光子(SiPho)技术在过去几十年中取得了巨大的进步,并广泛用于从光纤通信到传感的各种应用。SiPho技术平台已经发展成为成熟的工具,可供工业界和学术研究用于原型设计、小批量和大批量生产。但是缺少能够将光源集成到SiPho芯片中的广泛可用且具成本效益的解决方案,这限制了SiPho在成本敏感市场的应用。硅本身不能有效地发光,因此由III-V族化合物半导体制成的光源,例如磷化铟(InP)或砷化镓(GaAs)通常采用单独的封装元件。因此,外部光源通常带来更高的耦合损耗、较大的物理尺寸,以及大量的封装成本。

Imec近期与CST Global合作,通过无源组装的边发射InP DFB激光器和InP RSOA来扩展Imec的SiPho技术产品组合。这项合作始于2019年,现已成功将C波段(1530-1565 nm)InP DFB激光器组装到Imec的iSiPP平台上。InP激光器采用“倒装芯片”方式,通过芯片到芯片的键合工艺将其集成到SiPho电路上,并有效对准到SiPho芯片上的SiN波导中,且耦合输出功率超过5 mW。

Imec光学输入/输出(I/O)项目总监Joris Van Campenhout表示:“我们很高兴与CST Global合作,通过混合集成InP光源扩展Imec的硅光子产品组合。我们的第一批无源激光器组件的初始结果表现优异。到2020年,我们将进一步优化激光器组装工艺的精度和生产能力,扩展平台功能包括集成1310/1550 nm波长的RSOA,并进行可靠性验证。我们期望通过实现混合集成光源,可以加速扩展SiPho器件在各种成本敏感市场的应用。预计在2021年上半年,Imec的iSiPP200平台可以开始提供原型设计服务。”

CST Global集成部门经理Antonio Samarelli也表示:“我们非常高兴能与Imec进行这个项目的合作。InP光源(DFB和RSOA)与硅光子芯片的混合集成,是在CST的InP100制造平台上完成设计与制造。与iSiPP平台的结合,使得我们能够创造出功能强大的光子集成电路(PIC),为未来提供更高性能、更低成本的先进元件。我们将继续与Imec紧密合作,不断扩展InP100平台的功能和生产能力,以满足大批量商业应用中新型先进的PIC对InP光源的要求。”

延伸阅读:

《硅光子和光子集成电路技术和市场-2019版》

《英特尔硅光子技术100G PSM4 QSFP28光纤收发器》

《磷化铟晶圆和外延片市场-光子和射频应用》

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