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EPC推出350V新款eGaN功率晶体管,相比硅产品尺寸缩小20倍
2018-04-25 18:52:42   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

据麦姆斯咨询报道,EPC近日发布了新款350V GaN功率晶体管EPC2050,具有65 m& 8486;最高导通电阻(RDS(on))以及26A脉冲输出电流,应用包括电动汽车(EV)充电、太阳能逆变器、电机驱动器和多电平转换器配置。

EPC推出350V新款eGaN功率晶体管,相比硅产品尺寸缩小20倍

EPC2050芯片,1.95 mm x 1.95 mm

麦姆斯咨询报道,Efficient Power Conversion(EPC,美国宜普电源转换公司)近日发布了新款350V GaN功率晶体管EPC2050,具有65 mΩ最高导通电阻(RDS(on))以及26A脉冲输出电流。应用包括电动汽车(EV)充电、太阳能逆变器、电机驱动器和多电平转换器配置,例如用于电信或服务器电源的3电平400 V输入到48 V输出LLC转换器。

EPC2050尺寸仅为1.95 mm x 1.95 mm(3.72 mm2),因而设计人员无需再在尺寸和性能之间做出取舍。鉴于EPC2050小巧的体积,采用高效率半桥驱动器的栅极驱动器占用的面积比同类硅解决方案小五倍。尽管其芯片级封装尺寸较小,但EPC2050能够比塑料封装的MOSFET更高效地处理散热问题。

EPC首席执行官Alex Lidow称:“350 V EPC2050的问世,使硅技术和eGaN技术在性能和成本方面的差距进一步放大,它相比同类硅MOSFET的尺寸缩小了几乎20倍!”

开发板

EPC9084开发板最大器件电压350 V,半桥采用EPC2050和Silicon Labs Si8274GB1-IM栅极驱动器。这款51 mm x 38 mm电路板专为实现最佳开关性能而设计,包含所有关键组件,便于评估350 V EPC2050 eGaN FET。

价格与供货

EPC2050 eGaN FET批量售价(1000颗)为3.19美元/颗,EPC9084开发板的售价为118.75美元。

关于EPC

宜普电源转换公司(EPC)于2007年11月由三位资深工程师共同创建,他们合共拥有六十年与先进功率管理技术相关的经验。EPC首席执行官Alex Lidow是1970年代硅功率MOSFET的共同发明者。EPC是基于氮化镓(GaN)功率管理技术的领导供应商,EPC不仅仅致力于提高电力效率,更利用氮化镓技术推动了五年前不可能实现的并显著提升生活的全新应用。由于多种应用例如从无线电源传送、全自动汽车以至高速移动通信、低成本卫星及医疗护理应用都不断蜕变,因此氮化镓技术成为勇于革新、持续前进和渴望保持行业领先地位的公司的首选技术。

延伸阅读:

《电动汽车和混合动力汽车电力电子市场-2018版》

《功率GaN:外延、器件、应用及技术趋势-2017版》

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