多维科技推出高灵敏度线性磁传感器TMR703F
2014-06-28 13:26:07   来源：微迷   评论：0   点击：

概述

TMR703F是基于第四代磁感应技术——隧道磁阻技术（TMR）的线性磁传感器，可感应平行于芯片表面的磁场强度。

TMR703F采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽超高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。

图1 采用DFN8封装形式的TMR703F

产品特性：隧道磁电阻（TMR）技术、高灵敏度、低磁滞、低功耗、稳定的温度特性

产品应用：磁力计、电流检测、弱磁检测

表1 TMR703F特征参数表（TA=25℃）

备注：[1] 电阻值可根据要求定制，详情请咨询江苏多维科技有限公司

关于TMR传感器

TMR（Tunnel MagnetoResistance）传感器是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器，其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结（Magnetic Tunnel Junction, MTJ）来代指TMR元件，MTJ元件相对于霍尔元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更好的线性度，不需要额外的聚磁环结构；相对于AMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更宽的线性范围，不需要额外的set/reset线圈结构；相对于GMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更宽的线性范围。