十年磨一剑，霜刃今已试：InGaAs探测器材料首获航天应用
2016-12-31 08:22:53   来源：麦姆斯咨询   评论：0   点击：

短波红外（1-3微米）包含丰富的吸收和窗口特征使其成为重要的航天遥感波段， III-V族InGaAs材料是此波段的良好探测材料之一。基于国际上的发展态势，本世纪初中科院上海技物所匡定波、方家熊两位院士提出我国必须自主开展短波红外InGaAs探测器的航天应用研究。在方家熊院士的带领下，2003年起中科院上海技物所和中科院上海微系统所组成联合研究团队，在此方面开始密切合作。

经十余年潜心研究和探索，上海微系统所信息功能材料国家重点实验室相关科研人员勇于开拓创新，克服了设备、资金和人力等相对不足的情况下，解决了一系列技术难题，在气态源分子束外延InGaAs材料的探测器应用方面取得突破。今年上海微系统所研制的InGaAs探测器外延材料首获航天应用，这也是我国航天载荷首次采用国产InGaAs器件。用于宽波段成像光谱仪的晶格匹配InGaAs焦平面器件2016年9月15日已随天宫二号发射，短波红外成像质量良好。用于月球矿物光谱仪的波长扩展InGaAs器件2017年也将首次随嫦娥五号发射。