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田中贵金属工业与MEMS CORE签订MEMS共同研发协议
2014-07-29 20:42:31   来源:微迷   评论:0   点击:

田中控股株式会社发表经营田中贵金属集团制造事业的田中贵金属工业株式会社与株式会社MEMS CORE已签订共同开发契约,双方将针对田中贵金属工业所开发的次微米大小(万分之一厘米)金粒子在MEMS(微机电系统)元件图案形成技术上展开技术合作。

田中控股株式会社发表经营田中贵金属集团制造事业的田中贵金属工业株式会社与株式会社MEMS CORE已签订共同开发契约,双方将针对田中贵金属工业所开发的次微米大小(万分之一厘米)金粒子在MEMS(微机电系统)元件图案形成技术上展开技术合作。田中贵金属工业将把公司以往所拥有的次微米级金粒子图案形成技术与设备,移交给MEMS CORE管理。MEMS CORE将自11月1日起展开次微米级金粒子图案试作的制造,和MEMS厂商的封装委托。

MEMS CORE凭借田中贵金属工业移交金粒子图案形成技术,获得金粒子封装之根本的工艺技术,今后将通过推动与田中贵金属工业的共同开发案,强化MEMS器件的技术及产品竞争力。而田中贵金属工业选择以金粒子材料的提供作为其业务范围,专注在材料的改良与开发上,以更进一步提高产品的附加价值为目标。通过共同开发体制,建设具有MEMS研发所需代工制造厂(制造设备)能力的组装据点,今后将为MEMS厂商提供从材料开发到器件组装的一系列产品。

通过此营运模式的建立,将能提供客户──MEMS厂商专注在自有产品的开发及生产性的提升。同时,因为器件的高机能化导致晶圆级封装(WLP)的组装成本不断上升,对于饱受该问题之苦的MEMS厂商而言,确保拥有金粒子封装技术的试作及组装委托之代工,将有助于削减MEMS制造的相关新型组装设备的持有成本。此外,在预期今后会更进一步成长的MEMS市场中,可望加快技术开发的速度。

金粒子封装技术与设备的移交管理

田中贵金属工业在2009年12月发表了一项技术,以光阻(注1)进行图案形成,形成线宽窄化至10μm的次微米级金粒子图案,并施行加热及加压,成功实现气密封装。田中贵金属工业并对研究金粒子封装的MEMS厂商无偿提供样品、零件试作以及技术导入的相关咨询。在这样的投入下,金粒子封装的实用性获得了业界的认可,各家MEMS厂商的零件需求不断成长。另一方面,MEMS是一种在硅基板上除了组装LSI(大型集成电路)等半导体之外,并组装微细驱动零件的立体构造,组合的图案不仅多样,也愈益复杂。因为这样的原因,在MEMS的开发和试作制造时,极需在MEMS特有的加工技术方面出色的代工厂,包含开发能力与设备,以及能够对应多种类少量生产的需求。

MEMS CORE是专业的MEMS器件研发支持代工厂。作为一家长期引领MEMS研究、从日本东北大学发展出来的初创企业,MEMS CORE在与该大学的江刺正喜教授、田中秀治教授合作的研究体制下进行范围广泛的设计、受托开发及试作、制造。MEMS CORE拥有从设计到制造的MEMS相关设备,以及因应各种试作工艺技术的制造能力,今后也能进行金粒子封装产品的个别开发。再加上MEMS CORE拥有丰富的MEMS研究开发成绩,促成双方此次共同开发及技术与设备移交管理的协议。

次微米级金粒子膏材的产品概要

田中贵金属工业已自2013年12月起开始提供以下技术,使用次微米级金粒子膏材“AuRoFUSE”,以高精密网版印刷法于基板上,一起成批形成微细复合图案。在MEMS器件制造中,真空性(即封装的高气密性)会左右制造品质。“AuRoFUSE”为一种膏状接合材料,是将有机溶剂混入粒径控制在次微米大小的金粒子而成。其所形成的密封外框,经热压(200℃、100MPa)使金粒子烧结体变形后,可达成缜密化的高真空气密封装(注2)。利用“AuRoFUSE”进行的气密封装接合的特色如下:

(1)能够在硅晶圆、基板的金(Au)膜上,形成有利于吸收接合面的高低差、耐热性高且低电阻的微细复合图案,适用於电极接合和密封外框用途。

(2)所印刷的密封外框可凭借200℃的热压接合使组织缜密,进而达成气密封装。

(3)可凭借高精密网版印刷形成图案,无需如传统方式结合电镀、蒸镀、溅镀等多个工程,因此可减少加工处理步骤。

(4)可达成8寸晶圆尺寸之图案形成。

(5)“AuRoFUSE”可承受反覆印刷,因此能以最少的材料损失实施作业。并实质削减主要工程的成本。

此外,“AuRoFUSE”在以膏状设置晶粒后,以200℃、无需施重下即可进行接合,且接合后具备高散热性。从这些特点来看,也令人期待“AuRoFUSE”在高功率LED、激光二极管等装置元件的固晶接合(覆晶接合法(注3))上的可用性。

印刷于8寸硅晶圆基板上的“AuRoFUSE”的密封外框外观(200μm宽)

印刷于8寸硅晶圆基板上的“AuRoFUSE”的密封外框外观(200μm宽)

注1:使用耐化学性,且会因光照而变化的感光性溶剂,对印刷基板进行蚀刻加工而形成微细图案的一种技法。

注2:达成1.0-13Pa?m3/s之氦耗损量(泄漏量)。亦即,1m3之体积压力每秒上升0.0000000000001帕的耗损量。

注3:覆晶接合法:一种不使用接合线而直接将半导体晶片组装至印刷基板的接合方法。以突出状的端子(凸块)接合电极。用于高功率LED和紫外线LED的组装上能够实现更高的发光效率。

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