首页 > 公司 > 正文

时代民芯提供MEMS设计和生产加工服务
2013-08-16 16:24:04   来源:微迷   评论:0   点击:

北京时代民芯科技有限公司具有多年MEMS研制成功经验,并于2005年建立一条0.8μm的4英寸MEMS生产线,具备月产3000枚圆片的加工能力。公司拥有多种MEMS敏感结构设计软件和仿真软件,具备完整的MEMS制造、封装、测试技术平台,是国内先进的MEMS制造企业。

公司简介

北京时代民芯科技有限公司成立于2005年11月,是由北京微电子技术研究所和西安微电子技术研究所资源整合后成立的股份有限责任公司,现为航天电子技术股份有限公司的全资子公司。

公司全体员工秉承“用芯创造,精芯服务”的经营理念,向客户奉献优质的产品与服务,为实现一流MEMS制造企业而努力。

MEMS专业介绍

北京时代民芯科技有限公司具有多年MEMS研制成功经验,并于2005年建立一条0.8μm的4英寸MEMS生产线,100级净化间50平方米,1000级净化间400平方米,设备配套完整,并拥有多套硅基工艺规范,具备月产3000枚圆片的加工能力。

公司拥有多种MEMS敏感结构设计软件和仿真软件,具备完整的MEMS制造、封装、测试技术平台,是国内先进的MEMS制造企业。

业务模式

我们为客户提供开放的设计与加工平台,客户可以根据需求选择自主设计、联合设计、委托设计、生产加工等不同服务方式。
* 自主设计:我们为客户自主设计的产品提供生产加工服务。
* 联合设计:结合双方优势,我们与客户联合设计产品。
* 委托设计:根据客户要求,我们设计出合适的产品。
* 生产加工:提供生产、封装全流程服务,并可根据客户要求提供模块化工艺服务。

工艺能力

【光刻】
• 具备正反面光刻、步进光刻能力。
• 最小线宽0.8μm。

【圆片键合】
• 具备阳极键合、Au-Si键合、AuSn键合能力。
• 能够圆片级真空键合。

【等离子刻蚀】
• DRIE深硅刻蚀 1:50,典型1:20。
• 具备多晶硅、氧化硅、氮化硅刻蚀。
• 具备Ti、W、Au刻蚀。
• 具备有机物去除。

【薄膜淀积】
• 具备PE CVD、LP CVD薄膜淀积能力。
• 具备Ti、W、Au、Al、Ni等金属薄膜淀积能力。

【高温】
• 具备热氧、LP氧化硅、LP氮化硅、薄膜致密能力。
• 具备快速退火、金属烧结能力。

【注入】
• 具备B、P等离子注入能力。

【在线检测】
• 台阶测试、薄膜测试、方块电阻、SEM。

【封装】
• 晶圆减薄、划片、金属封装、陶瓷封装、引线键合。

光刻技术  
接触1:1 正反面
套准精度 正面:0.5μm
背面:1μm
最小特征尺寸 0.8μm
步进5:1 正面
套准精度 ≤0.15μm
最小特征尺寸 0.5μm
在凹槽图案的喷涂 具备
光刻胶 正胶:1-10μm
负胶:1-10μm

 

圆片键合  
阳极键合 具备
金硅键合 具备
金锡共晶键合 具备
晶圆对准精度 <5μm
多层键合 具备
键合腔体环境控制或真空 具备

 

等离子刻蚀  
DRIE 1:50
绝缘刻蚀(SiO2,Si3N4等) 具备
多晶硅刻蚀 具备
金属刻蚀 Ti、Au、W
有机物去除 具备

 

高温技术  
热氧化(800~1150)℃ 具备
致密工艺 具备
退火工艺(450~1250)℃ 具备
快速退火工艺 具备
金属烧结 Al、Au、Ni、Ti、Pt
LPCVD 多晶硅、SiO2、Si3N4

 

离子注入(B、P) 具备

 

湿法腐蚀  
各向异性腐蚀 KOH
各向同性腐蚀 HNA、HF
蚀刻介质 硅、玻璃、氧化硅、氮化硅
湿法清洗过程 酸性、碱性

 

金属化  
溅射 Ti、W、Au、Al、Ni
蒸发 Al、Ag、Ni、Ti
电镀 Au

 

等离子淀积  
PECVD 氮化物 具备
PECVD 氧化物 具备
PECVD PSG 具备
PECVD BPSG 具备

 

在线检测  
椭偏仪 具备
显微镜 具备
表面轮廓 具备
薄膜应力 具备
方块电阻(四探针) 具备
台阶仪 具备
SEM 具备

 

测试  
电参数测试 具备
测试开发(样品和批量生产) 具备
微弱信号探测 具备

 

后端  
自动切割 具备
引线键合 Au、Al
晶圆减薄 具备
封装(陶瓷、金属) 具备

典型成套工艺
* 深硅刻蚀
* 圆片键合
* 双面光刻
* 金属化

联系人:张主任
电话:13683239582
邮箱:forqy@sina.com

相关热词搜索:MEMS

上一篇:联阳的传感器融合算法取得Windows 8认证
下一篇:9月MEMS领导厂商意法半导体举办趋势发布会