《安世半导体AEC-Q101认证的650V氮化镓功率器件》
2020-03-12 22:10:53   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

据麦姆斯咨询报道,2019年11月,分立、逻辑和MOSFET器件的专业制造商安世半导体发布其首款氮化镓AEC-Q101认证的650V功率器件:GAN063-650WSA,从而进入氮化镓场效应管(GaN)市场。

Nexperia’s AEC-Q101 Qualified 650 V GaN-based Power Device

——逆向分析报告

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深入分析安世半导体(Nexperia)的首款氮化镓(GaN)产品GAN063-650WSA

深入分析安世半导体(Nexperia)的首款氮化镓(GaN)产品GAN063-650WSA

据麦姆斯咨询报道,2019年11月,分立、逻辑和MOSFET器件的专业制造商安世半导体发布其首款氮化镓AEC-Q101认证的650V、50mΩ功率器件:GAN063-650WSA,从而进入氮化镓场效应管(GaN)市场。

GAN063-650WSA拆解与逆向分析

GAN063-650WSA拆解与逆向分析

安世半导体氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场。安世半导体的硅基氮化镓采用非常可靠耐用的工艺,是质量和可靠性久经考验的成熟技术。再加上其可以使用现有的硅晶圆加工设备,因此晶圆加工产能的可扩展性很强。另外,此功率器件采用行业标准TO-247封装,客户可受益于以熟悉的封装来获得卓越的氮化镓性能。

GAN063-650WSA封装横截面分析

GAN063-650WSA封装横截面分析(样刊模糊化)

GAN063-650WSA基于“用于处理高压的硅基氮化镓(GaN-on-Si)高电子迁移率晶体管(HEMT)”和“标准低压硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)”的共源共栅结构。这将驱动高频应用,并由常开GaN HEMT制作成常关晶体管。硅MOSFET堆叠在GaN HEMT的顶部,将底部芯片的源极触点与上部芯片的漏极触点连接起来。该功率器件集成了直接铜键合(DCB)衬底和栅极源极漏(GSD)引脚输出结构,以降低高频工作时的寄生电感和电容。

GaN HEMT芯

GaN HEMT芯片(样刊模糊化)

这款功率器件非常耐用,栅极电压(VGS)为±20V,工作温度范围为-55至+175℃。GAN063-650WSA是安世半导体进入电动汽车、通信设备和工业类市场的一系列氮化镓产品中的第一款,其特点是低导通电阻以及快速的开关切换,效率非常高。

在本报告中,我们对GAN063-650WSA进行了深入分析,包括详细的光学图片、扫描电子显微镜图片和具有能量色散X射线分析的横截面,以揭示安世半导体从器件设计到封装的技术选择。本报告也提供了GaN HEMT、硅MOSFET和封装的生产成本预估以及组件的价格。

最后,本报告还将GAN063-650WSA与Transphorm公司的GaN-on-Silicon HEMT进行对比分析,以突出功率器件设计和制造成本的差异。

报告目录:

Introduction
• Executive Summary
• Market Overview
• Reverse Costing Methodology and Glossary

Company Profile
• Nexperia

Physical Analysis
• Summary and Overview
• Package
• GaN HEMT
• Si MOSFET

Manufacturing Process
• Fab Units
• HEMT Process Flow
• Si MOSFET Process Flow
• Component Packaging

Cost Analysis
• Economic Analysis and Yields
• GaN HEMT Cost
- HEMT wafer front-end cost and front-end cost per process step
- HEMT back-end 0 cost: Die probe test, thinning and dicing
- HEMT die cost
• Si MOSFET Cost
- MOSFET front-end cost
- MOSFET back-end 0 cost: Die probe test, thinning and dicing
- MOSFET die cost
• Packaging Cost
• Component Cost
- Back-end: Final test cost
- Component cost

Comparison
• Technology and Cost Comparison Between Nexperia and Transphorm GaN Power Devices

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