《3D NAND内存对比分析-2019版》
2019-12-08 21:43:15   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

本报告详细研究了东芝/闪迪的最新96层技术、三星的92层技术、SK海力士的72层技术和美光的96层技术。同时,提取了高质量的光学图像和高分辨率扫描电子显微镜(SEM)图像,给出3D NAND内存芯片横截面的物理细节,包括材料识别。

3D NAND Memory Comparison 2019

——逆向分析报告

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对东芝(Toshiba)/闪迪(SanDisk)、三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)的3D NAND内存进行全面的技术和成本分析

对东芝(Toshiba)/闪迪(SanDisk)、三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)的3D NAND内存进行全面的技术和成本分析

据麦姆斯咨询介绍,非易失性存储器对更高容量、更高读写速度的需求持续增长。为了增加存储密度并减少芯片尺寸,所有的NAND制造商都改变了制造工艺,以提升它们新一代存储器的竞争力。

预计NAND市场营收将在2019年下降26%,主要原因是:供过于求导致平均销售价格(ASP)大幅下降。为了加速度比特(Bit)增长和降低NAND成本,四大领先厂商——东芝(Toshiba)/闪迪(SanDisk)、三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron),都在其制造工艺中加入更多的字线。同时,来自YMTC的新竞争将影响NAND存储器市场。

本报告详细研究了东芝/闪迪的最新96层技术、三星的92层技术、SK海力士的72层技术和美光的96层技术。同时,提取了高质量的光学图像和高分辨率扫描电子显微镜(SEM)图像,给出3D NAND内存芯片横截面的物理细节,包括材料识别。该报告还包括工艺细节,以便读者更好地了解每家厂商使用的主要工艺步骤。此外,我们预估了3D NAND内存芯片的成本及其封装成本。

3D NAND内存拆解与逆向分析

3D NAND内存拆解与逆向分析

3D NAND内存芯片对比分析

3D NAND内存芯片对比分析(样刊模糊化)

最后,本报告比较了东芝/闪迪、三星、SK海力士、美光的3D NAND内存差异,包括晶圆成本、芯片成本和每家厂商生产的每千兆字节成本。该报告还分析了最新款存储器,并比较了制造成本和技术特点。

报告目录:

Overview/Introduction
• Executive Summary
• Reverse Costing Methodology

Company Profiles

Market Analysis
• NAND RoadMap
• NAND Revenue
• Samsung NAND Flash RoadMap

Physical Analysis
• Toshiba/SanDisk
- Overview
- Die design
- Cross-section
- Patents
• Samsung
- Overview
- Die design
- Cross-section
- Patents
• SK Hynix
- Overview
- Die design
- Cross-section
- Patents
• Micron
- Overview
- Die design
- Cross-section
- Patents

Manufacturing Process Flow
• Overview
• Wafer Fabrication Unit
• Front-End Process

Cost Analysis
• Synthesis of the Cost Analysis
• Yield Explanations and Hypotheses
• NAND Wafer and Die Cost
• Front-End Cost
• Component Cost

Cost Analysis Comparison

Estimated Price and Gross Margin Analysis

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