《GaN-on-Si HEMT与超结功率MOSFET对比分析》
2019-11-30 10:23:00   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

据麦姆斯咨询介绍,1998年,英飞凌首次将超结(Superjunction)技术商业化。如今,新的竞争者正在进入市场,但成熟的厂商通过尽可能降低生产成本或引进不同的技术来保持领先地位。硅基超结功率MOSFET的改进使得这些器件立于市场之上,并推动它们走向标准化和普及化。

GaN-on-Si HEMT vs. Superjunction MOSFET Comparison 2019

——逆向分析报告

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来自13家半导体厂商的600/650V GaN-on-Si HEMT与超结功率MOSFET的技术分析和成本对比

来自13家半导体厂商的600/650V GaN-on-Si HEMT与超结功率MOSFET的技术分析和成本对比

据麦姆斯咨询介绍,1998年,英飞凌(Infineon)首次将超结(Superjunction)技术商业化。如今,新的竞争者正在进入市场,但成熟的厂商通过尽可能降低生产成本或引进不同的技术来保持领先地位。硅基超结功率MOSFET的改进使得这些器件立于市场之上,并推动它们走向标准化和普及化。

在600/650V功率器件方面,GaN-on-Si HEMT是硅基超结功率MOSFET的有力竞争者。因为GaN-on-Si HEMT提供了新的功能,例如更高的开关频率、更高的功率密度和越来越具有竞争力的制造成本。

这种氮化镓(GaN)器件主要用于高端通信电源应用中,但是在2019年,随着65W快速充电器中的GaN HEMT的采用,其首次进入了大批量市场。因此,受益于消费类快速充电器应用的推动,我们预测到2024年GaN电源业务的市场规模将达到3.6亿美元,未来五年的复合年增长率高达85%。

GaN-on-Si HEMT与超结功率MOSFET对比分析

本报告深入分析了600/650V功率器件中的最新创新技术。从技术和经济角度来研究,展示硅基超结功率MOSFET和GaN-on-Si HEMT之间的差异性。

我们逆向分析了13家主要GaN和超结功率器件厂商的约50种产品,为广大读者提供全面的技术解读。

GaN-on-Si HEMT与超结功率MOSFET对比分析

本报告涉及的GaN HEMT厂商包括:Transphorm、Panasonic、Infineon、Texas Instruments、GaN Systems和Navitas。

本报告涉及的硅基超结功率MOSFET厂商包括Infineon、Toshiba、Vishay、STMicroelectronics、ON Semiconductor/Fairchild、Rohm、Central Semiconductor、D3 Semiconductor。

我们提供器件结构的清晰照片,以及制造工艺和材料的详细信息、电气性能对比和工艺成本分析等。

报告目录:

Overview/Introduction
• Executive Summary
• Market, Reverse Costing Methodology, and Glossary

Technology and Market
• GaN-on-Si HEMT
- Market, player roadmap, design technology solutions
• Silicon SJ MOSFET
- Market, player roadmap, design technology solutions

Company Profile and Supply Chain
• Infineon (GaN & SJ MOSFETs)
• Transphorm
• Panasonic
• GaN Systems
• Texas Instruments
• Navitas
• STMicroelectronics
• Toshiba
• Vishay
• Rohm
• On Semiconductor/Fairchild
• D3 Semiconductor
• Central Semiconductor

Physical Analysis
• GaN-on-Si HEMTs
• Superjunction MOSFETs

Technology and Physical Comparison
• Technology and Performance Comparison: GaN-on-Si HEMTs, Superjunction MOSFETs, and GaN-on-Si HEMTs vs Superjunction MOSFETs

Manufacturing Process Flow
• Wafer Fabrication Units

Cost and Price Analysis
• Yield Explanations and Hypothese
• 600/650V GaN-on-Si HEMTs
• 600/650V Superjunction MOSFETs

Cost Comparison
• 600/650V Superjunction MOSFETs vs GaN-on-Si HEMTs
• Conclusion

若需要《GaN-on-Si HEMT与超结功率MOSFET对比分析》报告样刊,请发E-mail:wangyi#memsconsulting.com(#换成@)。

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