《集成栅极驱动器的200V eGaN HEMT:EPC2112》
2019-09-14 20:03:01   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

本报告对宜普电源转换公司(EPC)集成栅极驱动器的200V eGaN HEMT:EPC2112进行完整的逆向分析。EPC2112是首款采用高效电源转换的单片集成HEMT。该款器件是EPC eGaN单场效应晶体管(FET),集成了栅极驱动器集成电路(IC),适合高频DC-DC转换和无线电源应用。

200V EPC2112 eGaN® HEMT with Monolithic Optimized Gate Driver

——逆向分析报告

购买该报告请联系:
麦姆斯咨询 王懿
电话:17898818163
电子邮箱:wangyi#memsconsulting.com(#换成@)

研究集成EPC栅极驱动器的独特增强型氮化镓(eGaN®)晶体管

研究集成EPC栅极驱动器的独特增强型氮化镓(eGaN®)晶体管

据麦姆斯咨询介绍,氮化镓(GaN)器件目前在多种应用领域中渗透,例如壁式充电器和激光雷达(LiDAR)应用等,这些都是高端解决方案,充分利用了GaN功率器件中的高频开关。预计2023年,GaN功率器件业务将达到约4.23亿美元,复合年增长率(CAGR)高达93%。

本报告对宜普电源转换公司(以下简称:EPC)集成栅极驱动器的200V eGaN HEMT:EPC2112进行完整的逆向分析。EPC2112是首款采用高效电源转换的单片集成高电子迁移率晶体管(HEMT)。该款器件是EPC eGaN®单场效应晶体管(FET),集成了栅极驱动器集成电路(IC),适合高频DC-DC转换和无线电源应用。

集成栅极驱动器的200V eGaN HEMT:EPC2112物理分析

集成栅极驱动器的200V eGaN HEMT:EPC2112物理分析

EPC2112外观尺寸

EPC2112外观尺寸

EPC2112设计包括一个40mΩ、200V eGaN®功率晶体管和一个采用低电感表面贴装球栅阵列(BGA)封装的优化栅极驱动器。与硅晶体管相比,GaN晶体管的电容显著降低。对于相同的导通电阻和额定电压,这意味着在较高频率下降低了开关损耗。除此之外,EPC的芯片级封装显著降低了其最终器件成本,还为GaN带来了竞争优势。基于完整的逆向分析,本报告提供了芯片和封装方面的详细制造成本分析以及器件售价预估。

EPC2112横截面图

EPC2112横截面图(样刊模糊化)

本报告将EPC2112与Navitas的单片GaN解决方案进行技术和成本对比分析。最后,还将EPC2112与之前EPC发布的200V GaN器件:EPC2010进行对比分析。该对比突出了芯片设计的差异及其对生产成本的影响。

GaN晶体管部分工艺流程

GaN晶体管部分工艺流程

报告目录:

Overview/Introduction
• Executive Summary
• Market
• Reverse Costing Methodology
• Glossary

Company Profile and Supply Chain
• EPC Profile
• EPC GaN Products

Physical Analysis
• Methodology
• Summary of the Physical Analysis
• Package Analysis
- Package opening
- Package cross-section
• Die: IC Gate Driver
- Die view and dimensions
- Die cross-section
- Die process
- Die process characteristics
• Die: HEMT
- Die view and dimensions
- Die cross-section
- Die process
- Die process Characteristics

Manufacturing Process Flow
• Die Front-End Fabrication Unit
• Die Front-End Process Flow
• Final Test and Packaging Fabrication Unit
• Die Back-End Process Flow

Cost Analysis
• Summary of the Cost Analysis
• Yield Explanations and Hypotheses
• Device Cost
- Wafer front-end cost
- Wafer front-end cost per step
- Packaging cost
- Die cost
- Die back-end probe test and dicing cost
- Component cost

Price Analysis
• Definition of Prices
• Estimation of Selling Price

Comparison
• Comparison Between EPC’s and Navitas Monolithic HEMT
• Comparison Between 200V EPC’s devices: EPC2112 and EPC2010

若需要《集成栅极驱动器的200V eGaN HEMT:EPC2112》报告样刊,请发E-mail:wangyi#memsconsulting.com(#换成@)。

相关热词搜索:栅极驱动器 HEMT GaN 氮化镓

上一篇:《pmd和英飞凌3D iToF摄像头模组》
下一篇:最后一页