《Power Integrations蓝宝石上氮化镓HEMT功率IC》
2019-07-27 10:46:28   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

据麦姆斯咨询报道,深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations此前推出的业界首款蓝宝石上氮化镓(GaN-on-Sapphire)功率IC已经成功应用于商用充电器中!

GaN-on-Sapphire HEMT Power IC by Power Integrations

——逆向分析报告

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Anker充电器PowerPort Atom PD 1采用基于蓝宝石上氮化镓(GaN-on-Sapphire)技术的功率IC

Anker充电器PowerPort Atom PD 1采用基于蓝宝石上氮化镓(GaN-on-Sapphire)技术的功率IC

据麦姆斯咨询报道,深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)此前推出的业界首款蓝宝石上氮化镓(GaN-on-Sapphire)功率IC已经成功应用于商用设备中!本报告对这款芯片进行拆解与逆向分析,从芯片设计到封装技术。

Anker充电器PowerPort Atom PD 1中的SC1933C器件

Anker充电器PowerPort Atom PD 1中的SC1933C器件

我们在Anker充电器PowerPort Atom PD 1中发现了Power Integrations的蓝宝石上氮化镓(GaN-on-Sapphire)功率IC芯片。该款芯片与其它三颗IC芯片共同封装在SC1933C器件中。令人惊讶的是,功率氮化镓(GaN)HEMT是在蓝宝石衬底上进行制造的,这是我们之前在其它功率氮化镓(GaN)HEMT中从未观察到的重大突破。

本报告对SC1933C器件进行深入分析,包括详细的光学图片、扫描电子显微镜(SEM)图片和带有能量色散X射线分析的横截面图,以揭示Power Integrations在IC和HEMT设计方面的技术选择。

Power Integrations蓝宝石上氮化镓HEMT功率IC逆向分析

Power Integrations蓝宝石上氮化镓HEMT功率IC逆向分析

本报告还提供IC、HEMT和封装的生产成本和售价预估。此外,还将其与Navitas的硅上氮化镓(GaN-on-Silicon)HEMT进行对比分析,以突出GaN芯片设计和制造成本的差异。

报告目录:

Overview/Introduction
• Executive Summary
• Market
• Reverse Costing Methodology

Company Profile
• Power Integrations

Physical Analysis
• Summary of the Physical Analysis
• Power IC in Wall-Charger Anker PowerPort Atom PD 1
• Package Analysis
• HEMT Die
• Primary and Secondary Control ICs

Manufacturing Process
• HEMT Die Front-End Process and Fabrication Unit
• IC Die Front-End Processes and Fabrication Units
• Packaging Process Flow

Cost Analysis
• Summary of the Cost Analysis
• Yield Explanations and Hypotheses
• HEMT Die
• IC dies
• Packaging Assembly Cost
• Component Cost

Price Analysis
• Definition of Prices
• Estimation of Selling Price

Price Analysis
• Technology and Cost Comparison Between Power Integrations and Navitas GaN HEMT Dies

若需要《Power Integrations蓝宝石上氮化镓HEMT功率IC》报告样刊,请发E-mail:wangyi#memsconsulting.com(#换成@)。

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