《Navitas 650V GaNFast功率IC系列》
2019-05-24 19:54:19   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

麦姆斯咨询:Navitas GaNfast技术已批量生产,最初用于快速充电器和旅行适配器等市场,这些市场正在推动GaN晶体管的应用发展。新型高速GaN功率IC的性能比旧式硅(Si)芯片的好20倍以上。

Navitas 650V GaNFast Power IC Family

——逆向分析报告

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Navitas首款用于快速充电的氮化镓(GaN)单片集成器件

Navitas首款用于快速充电的氮化镓(GaN)单片集成器件

据麦姆斯咨询介绍,Navitas(纳微)公司是世界上第一家GaN功率IC公司,于2013年在美国加利福尼亚州El Segundo成立。Navitas拥有强大且不断增长的功率半导体行业专家团队,在材料、器件、 应用程序、系统和营销及创新成功记录的领域内,合计拥有超过200年的经验;此外,其多位创始人也合共拥有超过200项专利。Navitas专有的AllGaN工艺设计套件将最高性能的GaN FET与逻辑和模拟电路单片集成。Navitas GaN功率IC为移动、消费、企业和新能源市场提供更小、更高能效和更低成本的电源方案设计。

Navitas GaNfast技术已批量生产,最初用于快速充电器和旅行适配器等市场,这些市场正在推动GaN晶体管的应用发展。新型高速GaN功率IC的性能比旧式硅(Si)芯片的好20倍以上。通过高频工作并同时提高效率,GaNFast功率IC可减小变压器、散热片和印刷电路板(PCB)等组件的尺寸、重量和成本。本报告对用于Aukey、RaVPower和Mu One充电器中的Navitas 650V GaNFast功率IC系列产品:NV6115和NV6252,进行拆解与逆向分析。

 RaVPower拆解分析

RaVPower拆解分析

NV6115和NV6252是采用四方扁平无引线(QFN)封装的650V硅上氮化镓(GaN-on-Silicon)高电子迁移率晶体管(HEMT)。这两款产品针对AC-DC转化器和高频、高效电源转换进行了优化。GaNFast技术可使开关频率高达10MHz,从而减少能量损失。

NV6115封装信息

NV6115封装信息

NV6252封装信息

NV6252封装信息

Navitas已经驱动元件集成到GaN组件中,以实现单片集成解决方案。NV6115是单芯片器件,NV6252是包含两个晶体管的器件,采用非对称半桥封装,用于有源钳位反激式应用。

NV6115 HEMT芯片

NV6115 HEMT芯片(样刊模糊化)

GaN晶体管部分工艺流程

GaN晶体管部分工艺流程

本报告对NV6115和NV6252进行深入分析,提供有关HEMT结构、外延、技术选择、设计、工艺流程和供应链的见解。此外,还估算了所有HEMT和封装的制造成本,并分析了产品的销售价格。最后,报告比较了Navitas,Transphorm和GaN Systems的650V GaN-on-Silicon HEMT。

报告目录:

Overview/Introduction
• Executive Summary
• Reverse Costing Methodology

Company Profile
• Navitas
• Products

Physical Analysis
• Package Analysis
- NV6115
- NV6252
• Die Delayering
- NV6115
- NV6252
• Die Cross-Sections
- Power HEMT area
- Driver HEMT area
• Die Process Characteristic

Manufacturing Process
• HEMT Die Front-End Process
• HEMT Die Fabrication Unit
• Final Test and Packaging Fabrication unit

Cost Analysis
• Summary of the Cost Analysis
• Yield Explanations and Hypotheses
• HEMT Wafer Cost
• NV6115 Component
• NV6252 Component

Price Analysis
• NV6115 Component Price
• NV6252 Component Price

Comparison
• Comparison between Navitas, Transphorm and GaN Systems

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