《碳化硅(SiC)MOSFET对比分析-2019版》
2019-05-19 23:22:02   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

本报告分析了碳化硅MOSFET的最新技术,突出了设计和制造工艺的差异,以及它们对器件尺寸和生产成本的影响。本报告分析的22款碳化硅MOSFET产品,电压从650V到1700V不等,在晶体管设计的微观层面上提供器件结构的光学图像和扫描电镜(SEM)图像。

SiC MOSFET Comparison 2019

——逆向分析报告

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22款碳化硅(SiC)MOSFET产品和技术对比,它们来自:Cree/Wolfspeed、罗姆(Rohm)、意法半导体(STMicroelectronics)、Littelfuse、英飞凌(Infineon)

22款碳化硅(SiC)MOSFET产品和技术对比,它们来自:Cree/Wolfspeed、罗姆(Rohm)、意法半导体(STMicroelectronics)、Littelfuse、英飞凌(Infineon)

据麦姆斯咨询报道,碳化硅器件正在赢得许多客户的信任,并渗透至各种各样的应用之中。Yole看好碳化硅器件市场前景,预计2017至2023年期间其复合年增长率(CAGR)将达到31%。到2023年,碳化硅功率半导体市场规模约为15亿美元。

尽管如此,每个厂家的碳化硅器件技术选择仍然各不相同,都有自己的芯片设计和封装集成解决方案。并且市场竞争激烈,加速技术创新和价格下降。此外,碳化硅商业模式也非常差异化,展望未来,我们将看到由成本因素主要驱动的供应链重组。

碳化硅器件制造商针对栅极结构和器件设计提出了不同的技术思路,重点研究碳化硅的内在属性,或寻求克服与它们相关的问题。

尽管基于碳化硅的MOSFET器件的价值提升,但仍然面临着一些技术和商业挑战。例如,碳化硅晶圆加工和供应限制都会影响晶圆价格,并会波及碳化硅器件的成本;晶圆尺寸从4英寸转换到6英寸和部分工艺步骤的复杂性(主要是外延)会阻碍碳化硅在大规模商业应用的步伐。

在本报告中,我们分析了碳化硅MOSFET的最新技术,突出了设计和制造工艺的差异,以及它们对器件尺寸和生产成本的影响。本报告分析的22款碳化硅MOSFET产品,电压从650V到1700V不等,在晶体管设计的微观层面上提供器件结构的光学图像和扫描电镜(SEM)图像。

意法半导体碳化硅MOSFET:SCTW90N65G2V

意法半导体碳化硅MOSFET:SCTW90N65G2V(样刊模糊化)

罗姆碳化硅MOSFET部分工艺流程

罗姆碳化硅MOSFET部分工艺流程

本报告还对碳化硅MOSFET器件的制造成本进行分析,并预估其销售价格。此外,还提供碳化硅MOSFET产品之间的物理、技术和制造成本对比分析。

碳化硅衬底成本分析

碳化硅衬底成本分析(样刊模糊化)

1200V碳化硅MOSFET器件对比分析

1200V碳化硅MOSFET器件对比分析(样刊模糊化)

报告目录:

Overview/Introduction
• Executive Summary
• Reverse Costing Methodology
• Glossary

Technology and Market

Company Profile and Supply Chain
• Rohm
• STMicroelectronics
• Wolfspeed
• Littelfuse
• Infineon

Physical Analysis
• 650V MOSFETs
- Rohm
- STMicroelectronics
• 900V MOSFETs
- Wolfspeed
• 1000V MOSFETs
- Wolfspeed
• 1200V MOSFETs
- Wolfspeed
- Rhom
- STMicroelectronics
- Littelfuse
- Infineon
• 1700V MOSFETs
- Wolfspeed
- Littelfuse
- Infineon

Technology and Physical Comparison

MOSFETs Manufacturing Process Flow
• Supply Chains
• Wolfspeed
• Rohm
• STMicroelectronics
• Littelfuse
• Infineon

Cost and Price Analysis
• Yield Explanations and Hypotheses
• 650V MOSFETs
• 900V MOSFETs
• 1000V MOSFETs
• 1200V MOSFETs
• 1700V MOSFETs

Cost Comparison

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