《Wolfspeed全碳化硅1200V功率模块:CAS325M12HM2》
2019-02-14 20:04:35   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

碳化硅(SiC)器件的市场前景看好,预计2017~2023年的复合年增长率(CAGR)为31%。据麦姆斯咨询介绍,Wolfspeed的产品——CAS325M12HM2代表了新一代全碳化硅功率模块,可为大电流应用提供前所未有的效率和功率密度。

Wolfspeed CAS325M12HM2 All-SiC 1200V Power Module

——逆向分析报告

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Wolfspeed全碳化硅(All-SiC)高性能封装功率模块适合大电流工业应用

Wolfspeed全碳化硅(All-SiC)高性能封装功率模块适合大电流工业应用

碳化硅(SiC)器件的市场前景看好,预计2017~2023年的复合年增长率(CAGR)为31%。据麦姆斯咨询介绍,Wolfspeed/Cree的产品——CAS325M12HM2代表了新一代全碳化硅功率模块,可为大电流应用提供前所未有的效率和功率密度。与使用硅基技术相比,它允许设计人员实现更轻的系统,以及更高的功率密度。

CAS325M12HM2是Wolfspeed唯一一款全碳化硅模块,是一款大电流(最低的RDS(on))功率模块。CAS325M12HM2采用薄型高性能封装(由Wolfspeed收购的APEI提供),具有超低损耗、低电感(约5nH)和超快开关速度。CAS325M12HM2将紧凑型轻量级系统与高效运行相结合,降低了散热要求和系统成本。由于其卓越的散热性能,以及封装设计和材料,因此CAS325M12HM2可以在175℃环境下工作。这是许多工业、航空航天和汽车应用的关键指标要求。

Wolfspeed碳化硅功率模块CAS325M12HM2物理分析

Wolfspeed碳化硅功率模块CAS325M12HM2物理分析

本报告对CAS325M12HM2功率模块进行深入分析。报告展示了该模块的组件和外壳情况,显示了Wolfspeed/Cree的创新技术,从而使其能够以高性能封装生产制造1200V大电流功率模块。

Wolfspeed碳化硅功率模块CAS325M12HM2封装横截面分析

Wolfspeed碳化硅功率模块CAS325M12HM2封装横截面分析(样刊模糊化)

端子引线和焊接-EDX分析

端子引线和焊接-EDX分析(样刊模糊化)

本报告包括所有模块组件的制造成本预估及销售价格分析,并将其与Wolfspeed碳化硅模块CAS120M12BM2进行对比分析。此外,报告还介绍了Wolfspeed竞争对手的1200V碳化硅模块解决方案情况。

MOSFET芯片工艺分析

MOSFET芯片工艺分析(样刊模糊化)

MOSFET芯片部分工艺流程

MOSFET芯片部分工艺流程

MOSFET芯片部分工艺流程

Wolfspeed、英飞凌(Infineon)和罗姆(Rohm)碳化硅模块对比分析

Wolfspeed、英飞凌(Infineon)和罗姆(Rohm)碳化硅模块对比分析

最后,我们还将Wolfspeed的MOSFET芯片与意法半导体(STMicroelectronics)、罗姆的1200V碳化硅MOSFET进行对比分析。此外,还将1200V硅基IGBT与碳化硅MOSFET进行对比分析,突出了电气参数、封装、芯片特性,以及生产成本的差异。

报告目录:

Overview/Introduction
• Executive Summary and Market
• Reverse Costing Methodology and Glossary

Company Profile
• Cree/Wolfspeed Profile and Product Portfolio
• Supply Chain

Physical Analysis
• Overview of the Physical Analysis
• Package Analysis
- Package opening
- Package cross-section
• SiC MOSFET Die
- MOSFET die view and dimensions
- MOSFET die process and cross-section
• SiC Diode Die
- Diode die view and dimensions
- Diode die process and cross-section

Manufacturing Process
• SiC MOSFET and SiC diode Front-End Process and Fabrication Unit
• Final Test and Packaging Process Flow and Fabrication Unit

Cost Analysis
• Overview of the Cost Analysis, Yield Explanations and Hypotheses
• MOSFET Die
- MOSFET front-end cost
- MOSFET die probe test, thinning and dicing
- MOSFET wafer cost and die cost
• SiC Diode Die
- Diode front-end cost
- Diode die probe test, thinning and dicing
- Diode wafer cost and die cost
• Packaging Cost
• Complete Module Cost
- Packaging cost
- Final test cost and component cost

Price Analysis
• Estimation of Selling Price

Comparison
• Comparison with Cree SiC Module CAS120M12BM2
• Comparison with Rohm and Infineon SiC Modules
• STMicroelectronics vs Cree vs Rohm 1200V SiC MOSFETs
• 1200V Si IGBTs vs SiC MOSFETs

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