《Qorvo 39GHz氮化镓MMIC前端模块:QPF4006》
2018-10-31 21:56:43   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

据麦姆斯咨询报道,在过去的一年中,5G技术不断发展,重塑了射频(RF)产业的格局,推动了射频氮化镓(GaN)市场的发展。与现有的硅基LDMOS和砷化镓(GaAs)解决方案相比,氮化镓器件能够提供下一代高频电信网络所需的功率/效率水平。

Qorvo QPF4006 39GHz GaN MMIC Front End Module

——逆向分析报告

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第一款面向5G基站和终端的MMIC前端模块,采用0.15微米GaN-on-SiC工艺

第一款面向5G基站和终端的MMIC前端模块,采用0.15微米GaN-on-SiC工艺

据麦姆斯咨询报道,在过去的一年中,5G技术不断发展,重塑了射频(RF)产业的格局,推动了射频氮化镓(GaN)市场的发展。与现有的硅基LDMOS和砷化镓(GaAs)解决方案相比,氮化镓器件能够提供下一代高频电信网络所需的功率/效率水平。受益于分集模块和手机功率放大器(PA)模块的应用,低噪声放大器(LNA)市场预计将实现16%的复合年增长率(CAGR)

Qorvo QPF4006 37~40.5GHz氮化镓(GaN)前端模块用于39GHz相控阵5G 基站和终端。QPF4006包含一个低噪音高线性度LNA、一个低插入损耗高隔离TR开关和一个高增益高效多级PA。QPF4006的工作频率范围为37GHz至40.5GHz。接收路径 (LNA+T/R SW) 设计用于提供18dB增益,噪声系数低于4.5dB。发射路径 (PA+SW) 提供23dB小信号增益,饱和输出功率为2W。

Qorvo QPF4006数据表(datasheet)

Qorvo QPF4006数据表(datasheet)

本报告展示了Qorvo QPF4006的芯片设计,以及氮化镓单片微波集成电路(MMIC)FEM的逆向成本预估。该产品采用气腔叠层封装,内置铜质散热片,展示了Qorvo的内部测试和封装能力。

Qorvo QPF4006封装分析

Qorvo QPF4006封装分析

QPF4006采用0.15微米栅极技术和沉积在碳化硅(SiC)衬底上的AlGaN/GaN外延结构。除了MMIC外,该器件还包括TaN电阻、SiN电容和三级金属互联。

Qorvo QPF4006拆解与逆向分析

Qorvo QPF4006拆解与逆向分析

Qorvo QPF4006芯片工艺分析

Qorvo QPF4006芯片工艺分析(样刊模糊化)

本报告利用光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)对QPF4006进行分析和拍照,提供封装和工艺的详细信息。此外,我们还提供整个器件的成本分析。

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