《GaN Systems氮化镓HEMT:GS61004B》
2018-06-07 10:07:52   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

GS61004B是一款采用GaNPX嵌入式芯片封装的硅上氮化镓HEMT晶体管。这种嵌入式芯片封装在市场上是独一无二的,可提供大电流处理、极低的电感和卓越的散热性能。GS61004B芯片尺寸约为4平方毫米,可以承载45A电流——即超过10A 平方毫米,几乎比竞争对手高出3倍。

GaN Systems GS61004B GaN HEMT

——逆向分析报告

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了解GaN Systems嵌入式芯片封装的氮化镓(GaN)晶体管

了解GaN Systems嵌入式芯片封装的氮化镓(GaN)晶体管

据麦姆斯咨询报道,氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)市场极具诱惑力,因此越来越多的厂商加入该领域,这也驱动相关产品价格下降,并使得GaN器件成为目前常用的硅基功率开关晶体管(如MOSFET和IGBT)的竞争产品。

低压GaN领域的主要厂商仅有两家:EPC和GaN Systems,其主要原因是使用低损耗标准封装的复杂性。GaN Systems希望与低压HEMT市场的领导者EPC展开竞争。本报告对GaN Systems氮化镓HEMT:GS61004B进行逆向分析,该器件是其100V驱动的最新产品,并针对AC-DC转换器和功率转换做了优化。

GS61004B封装信息

GS61004B封装信息

GS61004B是一款采用GaNPX嵌入式芯片封装的硅上氮化镓HEMT晶体管。这种嵌入式芯片封装在市场上是独一无二的,可提供大电流处理、极低的电感和卓越的散热性能。GS61004B芯片尺寸约为4平方毫米,可以承载45A电流——即超过10A/平方毫米,几乎比竞争对手高出3倍。

GS61004B横截面剖析

GS61004B横截面剖析(样刊模糊化)

HEMT芯片分析

HEMT芯片分析(样刊模糊化)

GaN晶体管部分制造工艺流程

GaN晶体管部分制造工艺流程

GS61004B采用AT&S开发的创新型嵌入式芯片封装技术,该封装没有引线键合,可减少电感,其设计增加了热量管理,因此有助于增强散热性能,简化工艺以缩短制造时间,并降低成本。

GS61004B部分封装工艺流程

GS61004B部分封装工艺流程

除了完整的拆解分析,本报告还提供外延和封装的生产成本预估。最后,本报告还比较了GaN Systems与EPC的100V HEMT产品和技术,以及100V硅上氮化镓(GaN-on-Si)和硅基MOSFET之间的差异。

报告目录:

Overview / Introduction
• Executive Summary
• Reverse Costing Methodology

Company Profile
• GaN Systems
• Products

Physical Analysis
• Summary of the PhysicalAnalysis
• Package Analysis
- Package opening
- Package cross-section
• HEMT Die
- HEMT die view and dimensions
- HEMT die process
- HEMT die cross-section
- HEMT die process characteristics

Transistor Manufacturing Process
• HEMT Die Front-End Process
• HEMT Die Fabrication Unit
• Final Test and Packaging Fabrication Unit

Cost Analysis
• Cost Analysis - Summary
• Yields Explanation and Hypotheses
• HEMT Die
- HEMT front-end cost
- HEMT die probe test, thinning and dicing
- HEMT wafer cost
- HEMT die cost
• Complete Device
- Packaging cost
- Final test cost

Price Analysis
• Estimated Sales Price

Comparison
• Comparison of GaN Systems’ Devices
• Comparison of GaN Systems and EPC 100V HEMT
• Comparison between 100V GaN-on-Si and Si MOSFET

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