《硅上氮化镓（GaN-on-Silicon）晶体管对比分析-2018版》
2018-04-12 16:16:24 来源：麦姆斯咨询 评论：0 点击：
据麦姆斯咨询报道，氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）市场非常诱人，因此越来越多的厂商加入该领域，这也驱动相关产品价格下降，并使得GaN器件成为目前常用的硅基功率开关晶体管（如MOSFET和IGBT）的竞争产品。
GaN-on-Silicon Transistor Comparison 2018
——逆向分析报告
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深入探究EPC、Transphorm、GaN Systems、松下（Panasonic）和德州仪器（Texas Instruments）的硅上氮化镓（GaN-on-Silicon）技术和成本
据麦姆斯咨询报道，氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）市场非常诱人，因此越来越多的厂商加入该领域，这也驱动相关产品价格下降，并使得GaN器件成为目前常用的硅基功率开关晶体管（如MOSFET和IGBT）的竞争产品。
硅上氮化镓晶体管厂商的路线图
尽管如此，技术细节仍然悬而未决，每家厂商都提出了自己的解决方案来进行GaN器件设计与封装集成。这带来激烈的竞争，加速技术创新，进一步降低价格。此外，GaN商业模式依然不同，未来我们将看到主要由成本因素驱动的供应链重组。厂商在外延、栅极结构、器件设计和封装集成方面有不同的方法，这些方法都集中于解决与GaN固有特性相关的问题，以及与硅的集成。
在本报告中，我们介绍了硅上氮化镓技术的发展现状，以突出器件设计和制造工艺的差异，以及它们对器件尺寸和生产成本的影响。我们分析了EPC、德州仪器、松下、GaN Systems、Transphorm的低压和中压产品，包括封装、晶体管结构和外延等，涉及光学照片、扫描电子显微镜（SEM）照片、透射电子显微镜（TEM）照片。
本报告还提供集成电路栅极驱动器、晶体管和封装的生产成本预估，并将其与市场上不同的器件进行对比分析。
以下是本报告的精彩掠影，供参考：
市场上主要的氮化镓（GaN）功率器件
中压SJ MOSFETs与GaN HEMT的品质因数（FOM）比较
GaN HEMT分析
功率器件RDS(ON)的演变 - 中压
GaN器件设计技术
GaN器件封装技术
多芯片集成技术
EPC器件分析
EPC1010器件分析
德州仪器LMG5200封装特性
TPH3002PS器件分析
MOSFET芯片尺寸
功率器件供应链分析
EPC GaN晶体管工艺流程分析
GaN Systems供应链分析
晶圆和芯片的结构与成本比较
报告目录：
Overview/Introduction
• Executive Summary
• Reverse Costing Methodology
Technology and Market
Company Profile
• EPC
• Texas Instruments
• Transphorm
• GaN Systems
• Panasonic
Physical Analysis
• Low Voltage
- EPC: EPC1010, EPC2010C and EPC2045
- Texas Instruments: LMG5200
• Medium Voltage
- Transphorm: TPH3002PS, TPH3206PS and TPH3208PS
- GaN Systems: GS66508P, GS66506T and GS66504B
- Panasonic: PGA26E19BA
- Texas Instruments: LMG3410
Transistor Manufacturing Process
• EPC
• Texas Instruments
• Transphorm
• GaN Systems
• Panasonic
Cost and Price Analysis
• Summary of the Cost Analysis
• Yield Explanations and Hypotheses
• Low Voltage
- EPC: EPC1010, EPC2010C, EPC2045 and EPC2040
- Texas Instruments: LMG5200
• Medium Voltage
- Transphorm: TPH3002PS, TPH3206PS and TPH3208PS
- GaN Systems: GS66508P, GS66506T and GS66504B
- Panasonic: PGA26E19BA
- Texas Instruments: LMG3410
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