《Wolfspeed碳化硅功率MOSFET:C2M0025120D》
2018-01-12 20:20:03   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

由于芯片设计优异,C2M0025120D的成本非常具有竞争力。栅极结构非常简单,封装也经过优化来节约成本。本报告对该封装和器件都进行了深入分析,并提供平面型SiC结构的清晰图像。

Wolfspeed C2M 1200V SiC MOSFET C2M0025120D

——逆向分析报告

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发现科锐(Cree)在碳化硅(SiC)MOSFET战略选择中的关键作用

发现科锐(Cree)在碳化硅(SiC)MOSFET战略选择中的关键作用

近些年,SiC功率半导体市场发展速度较快,预计2016~2020年的复合年增长率(CAGR)为28%。由于工业应用的增长驱动,2020年以后的复合年增长率可达到40%。预计到2022年,SiC器件整体市场规模将增长至10亿美元以上。全球SiC市场上的主要厂商包括英飞凌、Cree/Wolfspeed、罗姆、意法半导体、安森美等。

2016~2022年SiC器件市场增长情况

2016~2022年SiC器件市场增长情况

来源:《功率SiC(碳化硅)材料、器件、模组及应用-2017版》

Wolfspeed是SiC肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)分立元件以及模块的先驱公司,提供从900V到1700V的全系列SiC产品。不同于其它制造商(如罗姆)采用沟槽结构实现1200V产品和采用平面结构实现1700V产品,Wolfspeed则采用平面结构实现所有电压的产品。而且,Cree能够实现独特的三重(triple implantation)注入工艺和硅化物源极触点,以提高接触电阻。

Wolfspeed产品供应链情况

Wolfspeed产品供应链情况

C2M0025120D是Wolfspeed的1200V SiC MOSFET产品,用于太阳能逆变器、开关式电源、电动机、充电器和储能系统等工业电源。该产品拥有25mΩ的低导通电阻,但具有3.5 A/mm²的高电流密度。C2M0025120D集成了实现90A电流的第二代高压SiC平面型功率MOSFET芯片。

C2M0025120D特点:
• 全新C2M SiC MOSFET技术
• 低导通电阻下的高阻断电压
• 具有高阻斷電壓與低導通電阻
• 便于并联,易于驱动
• 雪崩耐受性强
• 抗闩锁效应
• 无卤素,符合RoHS规范

C2M0025120D优势:
• 更高的系统效率
• 更低的冷卻需求
• 更高的功率密度
• 更高的系统开关频率

C2M0025120D应用:
• 太阳能逆变器
• 开关式电源
• 高压DC/DC转换器
• 充电器
• 电动机
• 脉冲电源应用

C2M0025120D拆解与逆向分析

C2M0025120D拆解与逆向分析

由于芯片设计优异,C2M0025120D的成本非常具有竞争力。栅极结构非常简单,封装也经过优化来节约成本。本报告对该封装和器件都进行了深入分析,并提供平面型SiC结构的清晰图像。

C2M0025120D部分工艺流程

C2M0025120D部分工艺流程

此外,本报告还将C2M0025120D与罗姆和意法半导体的SiC MOSFET、1200V硅基IGBT等产品进行对比分析,包括电气参数、供应链和产品成本。

报告目录:

Introduction
• Executive Summary
• Reverse Costing Methodology
• Glossary
• SiC Power Device Market

Company Profile
• Wolfspeed
• Portfolio
• Supply Chain

Physical Analysis
• Summary of the Physical Analysis
• Package Analysis
- Package opening
- Package cross-section
• MOSFET Die
- MOSFET die view and dimensions
- MOSFET delayering and main blocks
- MOSFET die process
- MOSFET die cross-section
- MOSFET die process characteristic
• Manufacturing Process
- MOSFET die front-end process
- MOSFET fabrication unit
- Packaging process and fabrication unit

Cost Analysis
• Summary of the Cost Analysis
• Yield Explanations and Hypotheses
• MOSFET Die
- MOSFET die front-end cost
- MOSFET die probe test, thinning and dicing
- MOSFET die wafer cost
- MOSFET die cost
• Complete Device
- Assembled components cost
- Summary of the assembly
- Component cost
• Selling Price

Comparison Between 1200V SiC MOSFETs

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