《罗姆1700V碳化硅MOSFET分立器件:SCT2H12NZGC11》
2017-04-29 08:42:19   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

在罗姆(Rohm)新一代碳化硅(SiC)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)系列产品中,650V和1200V产品采用了沟槽(Trench)结构,而其最新的1700V产品则采用了平面型结构。

ROHM 1700V SiC MOSFET SCT2H12NZGC11 Discrete

——拆解与逆向分析报告

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在罗姆(Rohm)新一代碳化硅(SiC)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)系列产品中,650V和1200V产品采用了沟槽(Trench)结构,而其最新的1700V产品则采用了平面型结构。

距SiC MOSFET产品首次上市已经有超过5年的历史了,SiC MOSFET正渗透进入各个不同产业的功率转换应用。该市场前景广阔,2015~2021年间的复合年增长率预计可达42%。随着产业界传来的越来越多的正面信号,2017年的SiC MOSFET市场预计将好于往年。

在此背景下,罗姆推出了多款不同电压的SiC新产品,其650V和1200V产品采用了沟槽结构,而其最新的1700V产品则采用了平面型结构。

罗姆1700V碳化硅MOSFET分立器件:SCT2H12NZGC11

SCT2H12NZGC11是一款罗姆为工业和商业电源供给等功率应用而推出的1700V SiC产品。该器件具有非常低的导通电阻,同时具有非常高的电流密度,集成了第二代高电压SiC功率MOSFET芯片,电流能够达到3.7A。

得益于芯片设计,这款器件的成本极具竞争力。其栅极结构非常简单,其封装也为降低成本进行了优化。

罗姆1700V碳化硅MOSFET分立器件:SCT2H12NZGC11

本报告提供了这款器件平面型SiC结构的多维图像,并对其封装和元件进行了深入的技术分析。

芯片剖面图

芯片剖面图

MOSFET工艺流程

MOSFET工艺流程

报告目录:

Overview / Introduction
> Executive summary
> Reverse costing methodology

Company profile
> Rohm Semiconductor

Physical Analysis
> Synthesis of the Physical Analysis
> Package Analysis
- Package opening
- Package cross-section
> MOSFET die
- View & dimension
- Die process
- Die cross-section
- Die process characteristic

MOSFET Manufacturing Process
> MOSFET Die Front-End Process
> MOSFET Die Fabrication Unit
> Final Test and Packaging Fabrication unit

Cost Analysis
> Synthesis of the Cost Analysis
> Yields Explanation and Hypothesis
> MOSFET die
- MOSFET front-end cost
- MOSFET probe test, thinning and dicing
- MOSFET wafer cost
- MOSFET die cost
- Wafer cost evolution
- Die cost evolution
> Complete MOSFET
- Assembled components cost
- Synthesis of the assembling
- Component cost

Price Analysis

Estimated selling price

Company Services

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