《松下600V GaN高迁移率晶体管:PGA26C09DV》
2017-02-23 22:57:50   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

日本松下(Panasonic)公司的第一个600V氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)有着创新的结构设计,在不使用级联(cascade)的结构下通过标准封装制成一个常关型器件。

Panasonic PGA26C09DV 600V GaN HEMT

——逆向分析报告

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日本松下(Panasonic)公司的第一个600V氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)有着创新的结构设计,在不使用级联(cascade)的结构下通过标准封装制成一个常关型器件。

PGA26C09DV 使用标准的TO220封装结构

PGA26C09DV 使用标准的TO220封装结构

我们揭开了松下第一个GaN HEMT器件的面纱,其使用标准的TO220封装结构,受益于特殊的芯片设计,该晶体管在不使用cascade结构或特殊封装下能够具有常关的性能。

PGA26C09DV的芯片照片

PGA26C09DV的芯片照片(样刊模糊化)

松下的PGA26C09DV具有600V的击穿电压和15A的工作电流(15℃),以及与其它竞争者相比非常低的RdsOn,该晶体管非常适合AC-DC电源,光伏以及变频电机等应用。

PGA26C09DV芯片剖面图,采用GIT技术

PGA26C09DV芯片剖面图,采用GIT技术(样刊模糊化)

器件中的GaN和AlGaN层被外延沉积在硅衬底上,复杂的缓冲层和基板层结构用来减小应力和位错,并通过很厚的超晶格结构进行补偿,这可以在TEM下清晰地看到。

基于详尽的拆解分析,该报告还提供了外延、HEMT器件以及封装的生产成本估计。

PGA26C09DV芯片成本分析

PGA26C09DV芯片成本分析(样刊模糊化)

另外,该报告还对比了GaN Systems的GS66504B以及Transphorm的GaN HEMT器件,突出显示了他们在设计和制造上的巨大不同,以及其在器件尺寸和生产成本上的影响。

PGA26C09DV与GS66504B的比较

PGA26C09DV与GS66504B的比较(样刊模糊化)

报告目录:

Overview / Introduction
• Executive summary
• Reverse costing methodology

Company Profile
• Panasonic

Physical Analysis
• Synthesis of the physical analysis
• Package analysis
- Package opening
- Package cross-section
• HEMT die
- HEMT die view & dimensions
- HEMT die process
- HEMT die cross-section
- TEM epitaxy analysis
- HEMT die process characteristics

HEMT Manufacturing Process
• HEMT die front-end process
• HEMT die fabrication unit
• Final test & packaging fabrication unit

Cost Analysis
• Synthesis of the cost analysis
• Yield explanations and hypotheses
• HEMT die
- HEMT die front-end cost
- HEMT die probe test, thinning, and dicing
- HEMT die wafer cost
- HEMT die cost
- Wafer cost evolution
- Die cost evolution
• Complete HEMT
- Assembly cost
- Synthesis of the assembly
- Component cost

Price Analysis
• Estimated sales price

Comparison
• Comparison between Transphorm and GaN Systems’ HEMT

Company Services

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