《适用于激光雷达的GaN增强型场效应管:EPC2040》
2016-11-23 12:57:19   来源:麦姆斯咨询   评论:0   点击:

EPC2040是EPC公司设计,Episil(汉磊)制造的硅基GaN HEMT(高迁移率晶体管)器件,裸芯片具有焊球和钝化保护。由于采用晶圆级封装技术,芯片只有0 85mm x 1 20mm大小,因此成本很低。并且其封装具有低寄生电感,特别适合高频应用领域。

Efficient Power Conversion EPC2040 15V eGaN FET for LiDAR Systems

——逆向分析报告

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适用于激光雷达(LiDAR)系统的15V增强型GaN FET

适用于激光雷达(LiDAR)系统的15V增强型GaN FET

Efficient Power Conversion(宜普电源转换公司)的EPC 2040是一款15V的具备快速开关性能的增强型场效应管(eFET),面向高频脉冲应用,具有10倍于传统MOSFETs的开关速度,可实现优越的分辨率、快速的响应时间以及更高准确度,是激光雷达(Light Distancing and Ranging,LiDAR)技术所采用的脉冲式激光驱动器的理想器件。激光雷达是无人驾驶汽车的导航系统及3D增强现实(AR)系统的重要技术。

EPC2040是EPC公司设计,Episil(汉磊)制造的硅基GaN HEMT(高迁移率晶体管)器件,裸芯片具有焊球和钝化保护。由于采用晶圆级封装技术,芯片只有0.85mm x 1.20mm大小,因此成本很低。并且其封装具有低寄生电感,特别适合高频应用领域。

EPC2040封装尺寸

EPC2040封装尺寸

EPC2040采用EPC公司最先进的技术制造,新的栅结构减小了栅极漏电流,提高了电极接触。器件具有优异的动静态性能,另外为了降低成本,其采用了非常薄的外延层结构。

EPC2040芯片SEM图

EPC2040芯片SEM图

EPC2040性能参数

EPC2040性能参数

EPC2040性能参数

本报告对EPC2040的封装和器件进行了深层次的技术分析,呈现了其复杂的外延层以及晶体管结构,并分析了其成本构成,最后还将其与EPC第一批GaN HEMT进行了对比分析。

报告目录:

Overview / Introduction

Companies Profile
• EPC Profile
• Episil Profile

EPC2040 Characteristics

EPC2040 Physical Analysis
• Package
- Package Views & Dimensions
- Package Cross-Section
- Pad Cross-Section
• GaN transistor
- Die View, Dimensions & Marking
- Edge of the Die
- Metal Layers
- Gate Cross-Section
- Source Cross-Section
- Drain Cross-Section
- Substrate and Epitaxy Layers
• GaN Transistor Characteristics

Manufacturing Process Flow
• Global Overview
• GaN Transistor Front end Unit
• Transistor Process Flow
• Packaging Process Flow

Cost Analysis
• Synthesis of the cost analysis
• Main steps of economic analysis
• Yields Hypotheses
• Epitaxy Cost
• Front-End Cost
• Wafer Cost
• Wafer Cost per process steps
• Probe and Dicing Cost
• Packaging Cost
• Final Test Cost
• EPC2040 Component Cost

Price Estimation

Comparison of 3 EPC Transistors

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