II-VI斩获1亿美元SiC衬底订单，支持5G无线基站部署
2019-12-12 08:47:57 来源：麦姆斯咨询 评论：0 点击：
据麦姆斯咨询报道，美国宾夕法尼亚州工程材料和光电组件领先制造商贰陆（II-VI），近日宣布签署了一项总额超过1亿美元的多年期协议（公司迄今最大的订单），为5G无线基站中部署的氮化镓（GaN）射频功率放大器提供碳化硅（SiC）衬底。
据麦姆斯咨询报道，美国宾夕法尼亚州工程材料和光电组件领先制造商贰陆（II-VI），近日宣布签署了一项总额超过1亿美元的多年期协议（公司迄今最大的订单），为5G无线基站中部署的氮化镓（GaN）射频功率放大器提供碳化硅（SiC）衬底。
II-VI表示，5G无线服务的加速部署，正在推动5G无线供应链生态系统的深层次战略合作，以满足不断增长的市场需求。这份新的供货协议基于II-VI作为4G和5G市场SiC衬底全球供应商的深厚基础。
II-VI宽带隙半导体业务副总裁Gary Ruland博士表示：“从千兆赫兹到毫米波段的5G工作频率范围，GaN-on-SiC射频功率放大器都比基于GaN-on-silicon的器件具有更卓越的性能。凭借我们在更大衬底和更高品质方面的技术推动历史，客户选择与II-VI建立了战略合作伙伴关系。此外，II-VI最近发布了全球首款半绝缘200 mm SiC衬底，这将使我们的客户能够面向未来扩大生产规模。”
II-VI利用30多项有效专利的知识产权组合，采用晶体生长、衬底制造和抛光等专有技术开发SiC衬底。II-VI还通过构建垂直集成的150 mm GaN-on-SiC HEMT器件制造平台，扩展其驱动5G射频（RF）路线图的能力。除了SiC衬底之外，II-VI还为无线光学接入基础设施提供了一系列波长管理解决方案和收发器。II-VI表示，公司能够提供广泛的材料、设备、组件和子系统，以支持即将到来的大规模5G应用。
延伸阅读：
相关热词搜索：碳化硅 SiC 5G 氮化镓 GaN 射频器件
上一篇：寒冬感受温暖，Quanergy牵手“书福”喜提“吉利”
下一篇：最后一页