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台湾工研院整合超低压电路,MEMS振荡器功耗减半
2012-12-28 15:09:54   来源:微迷   评论:0   点击:

因为传统石英振荡器难以适应移动设备轻薄、低功耗设计需求,业界已转向采用标准化半导体制程研发的MEMS振荡器、超低电压无石英时钟发生器。近期,台湾工研院更积极融合两种技术优点,进一步打造高精度、低功耗、小尺寸时钟器件,以满足移动设备日益严苛的设计要求。

超低电压MEMS时钟器件将成业界新宠。因为传统石英振荡器难以适应移动设备轻薄、低功耗设计需求,业界已转向采用标准化半导体制程研发的MEMS振荡器、超低电压无石英时钟发生器。近期,台湾工研院更积极融合两种技术优点,进一步打造高精度、低功耗、小尺寸时钟器件,以满足移动设备日益严苛的设计要求。

台湾工研院资通所低功耗混合信号部技术副经理李瑜表示,目前市面上有三种时钟器件解决方案,分别是石英振荡器、MEMS振荡器及无石英时钟发生器。在移动设备严格要求低功耗、轻薄化的影响下,传统石英振荡器因须采用金属或陶瓷封装,不仅生产成本较高、交货期间长,且很难缩小封装尺寸,地位已渐渐动摇。相比之下,MEMS振荡器及无石英时钟发生器则快速崛起,开始瓜分移动设备市场商机。

其中,MEMS振荡器虽拥有小尺寸、高精度,可媲美石英振荡器,但内部包含前端MEMS谐振器与后端补偿电路,受制于晶圆制程变异与MEMS器件特性,仍面临单价高、温度及电压适应力弱等问题。同时,其驱动电压仍在1.8~3.3伏之间,要缩小功耗满足移动设备需求,就须导入更多省电机制,影响系统性能与成本。因此,台湾工研院提出MEMS振荡器整合超低电压电路的解决方案,全力克服上述问题。

李瑜透露,工研院日前发布超低电压芯片技术,将与MEMS振荡器进一步结合,催生更高集成度、低耗电时钟器件。现阶段,资通所与南分院正紧锣密鼓展开新产品研发计划,将整合MEMS谐振器,以及一颗基于0.3~0.5伏超低电压补偿电路制成的ASIC,兼容前者的高精度、高频率稳定性,以及后者的低电压驱动、适应温度范围等优点。

李瑜分析,MEMS振荡器兼容半导体制程与封装技术,极具尺寸微小、芯片集成度、量产速度与成本等效益,且频率精度平均已达到10~20ppm以下,满足中高端时钟应用产品规格。未来整合超低电压补偿电路后,更有助改善MEMS振荡器操作环境变异、时钟稳定性问题,提供更出色的性能修复机制,并降低50%以上功耗。

不仅如此,MEMS厂商也开始酝酿移动系统单晶片(SoC)内建MEMS振荡器的解决方案,以去除外部时钟电路,达到提升性能与降低成本的双重功效。李瑜认为,这是MEMS振荡器的独特设计优势,有助其压低单价并快速提高渗透率,进而扩大取代石英产品。反观石英元件封装形式与SoC则不相容,无法达成该设计需求。

至于无石英时钟发生器方面的进展,台湾工研院也已开发一款超低电压时钟发生器,除尺寸非常微小外,也将功耗控制在12µW以下,并达到±500ppm精度水平,可望在中低端时钟应用领域快速扩张。

显而易见,传统石英振荡器正面临左右夹攻的局面,为挽回局势,相关供应链业者已着手改良石英时钟器件的封装技术,甚至进一步投入测试可匹配半导体制程的生产方案,期望大幅缩小尺寸与成本,抵御MEMS、超低电压时钟发生器的强力攻势。

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